[发明专利]一种低电压下使输出级MOS管导通的方法在审
| 申请号： | 201811201289.8 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111064457A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 王欢 | 申请（专利权）人： | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;G01R19/165 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100089 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压下 输出 mos 管导通 方法 | ||
1.一种低电压下使输出级MOS管导通的方法，其特征在于，针对电源监控芯片中的输出级模块，通过对所述输出级模块的衬底节点进行衬底电压调节以形成MOS管背柵效应，使得所述输出级模块中的输出级MOS管的第一阈值电压降低至第二阈值电压，所述第一阈值电压指所述输出级MOS管的衬底电压没有被调节时的阈值电压，所述低电压指电源电压小于输出级MOS管的第一阈值电压，所述第二阈值电压低于所述低电压，从而在低电压下使输出级MOS管导通。
2.根据权利要求1所述的低电压下使输出级MOS管导通的方法，其特征在于，所述输出级模块包括输出端和栅极节点，所述栅极节点连接栅极控制模块，所述输出级模块的衬底节点连接衬底电压控制模块。
3.根据权利要求2所述的低电压下使输出级MOS管导通的方法，其特征在于，所述衬底电压控制模块包括第二电阻和第三电阻，所述第二电阻的一端连接电源端，所述第二电阻的另一端连接所述第三电阻的一端，所述第三电阻的另一端连接所述输出级MOS管的源极，所述第二电阻和第三电阻之间为衬底电压节点，所述衬底电压节点分别连接所述输出级模块的衬底节点和第三MOS管的漏极，所述第三MOS管的栅极连接衬底电压控制电路，所述第三MOS管的源极连接所述输出级MOS管的源极。
4.根据权利要求2所述的低电压下使输出级MOS管导通的方法，其特征在于，所述栅极控制模块包括第一电阻，所述第一电阻的一端连接电源端，所述第一电阻的另一端分别连接所述输出级模块的栅极节点和第二MOS管的漏极，所述第二MOS管的源极连接所述输出级MOS管的源极，所述第二MOS管的栅极连接输出控制电路。
5.根据权利要求1所述的低电压下使输出级MOS管导通的方法，其特征在于，所述输出级MOS管采用NMOS管或PMOS管。
6.根据权利要求1所述的低电压下使输出级MOS管导通的方法，其特征在于，所述输出级模块包括推挽输出电路，所述推挽输出电路连接所述输出级模块的输出端。
7.根据权利要求6所述的低电压下使输出级MOS管导通的方法，其特征在于，所述推挽输出电路包括第四PMOS管和所述输出级MOS管，所述输出级MOS管的源极连接接地端，所述输出级MOS管的栅极连接和所述第四PMOS管的栅极均连接栅极控制模块，所述输出级MOS管的漏极和第四PMOS管的漏极均连接所述输出级模块的输出端，所述第四PMOS管的源极连接电源端，所述输出级MOS管的衬底和所述第四PMOS管的衬底分别连接衬底电压控制电路。
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