[发明专利]微波快速反应的形状记忆纳米复合材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201811199125.6 | 申请日： | 2018-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN109337293B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 李伟;陈垒;刘校培;武燕;张驰;宋书文;周航 | 申请（专利权）人： | 河南机电职业学院 |
| 主分类号： | C08L63/00 | 分类号： | C08L63/00;C08K3/04;C08K7/00 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 刘晓晖 |
| 地址： | 450000 河南省郑州市*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微波 快速反应 形状 记忆 纳米 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.微波快速反应的形状记忆纳米复合材料的制备方法，其特征在于，原材料为碳纳米管晶片、HF溶液和碳纳米管阵列浸入用环氧基形状记忆高聚物/丙酮溶液，其制备方法，包括以下步骤：
S1，一次浸泡：将碳纳米管晶片浸入HF溶液中10分钟，从硅晶片中释放得到碳纳米管阵列；
S2，洗涤：将S1中浸泡后的碳纳米管阵列用蒸馏水反复洗涤，并在70℃下进行干燥；
S3，二次浸泡：将S2中洗涤后的碳纳米管阵列浸入环氧基形状记忆高聚物/丙酮溶液池中，当环氧基形状记忆高聚物/丙酮溶液渗入碳纳米管阵列，且碳纳米管中的气泡完全耗尽后，从池中拾取出碳纳米管阵列，并进行干燥和固化处理；
S4，抛光：抛光S3中固体碳纳米管的表面，以除去突出的碳纳米管尖端，得到碳纳米管规则排布的、环氧基形状记忆纳米复合材料；
所述S3中浸泡后的碳纳米管阵列的干燥温度为70℃；
所述S3中浸泡且干燥后的碳纳米管阵列的固化条件为：在150℃的温度下固化6小时。
2.根据权利要求1所述的微波快速反应的形状记忆纳米复合材料的制备方法，其特征在于，所述S3中环氧基形状记忆高聚物/丙酮溶液池中的溶液是以1g环氧基形状记忆高聚物：1ml丙酮的比例配制的。
3.根据权利要求1所述的微波快速反应的形状记忆纳米复合材料的制备方法，其特征在于，所述S4中得到的碳纳米管规则排布的、环氧基形状记忆纳米复合材料的尺寸为10mm×10mm×0.5mm。
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