[发明专利]通过导电块导磁块调控H线圈颅内场分布的方法及装置有效
申请号: | 201811197229.3 | 申请日: | 2018-10-15 |
公开(公告)号: | CN109200472B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 殷涛;王腾飞;刘志朋;王欣 | 申请(专利权)人: | 中国医学科学院生物医学工程研究所 |
主分类号: | A61N2/02 | 分类号: | A61N2/02 |
代理公司: | 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 | 代理人: | 杨海明 |
地址: | 300192 *** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 导电 块导磁块 调控 线圈 内场 分布 方法 装置 | ||
1.通过导电块导磁块调控H线圈颅内场分布的装置,其特征在于,包括:
获取模块,获取包含边缘系统的真实头部模型;
第一建立模块,根据所述真实头部模型的外轮廓,建立H线圈模型;
第二建立模块,在所述H线圈模型的回路部分内侧,建立具有不同物理参数的导电块模型;
第三建立模块,在所述H线圈模型的底座部分,头部前侧及左右两侧,建立具有不同物理参数的导磁块模型;
计算模块,运用有限元方法模拟所述导电块模型与所述导磁块模型结合下的所述H线圈模型在所述真实头部模型的电场分布;
判断模块,判断所述真实头部模型的电场分布是否满足所需要刺激深度、聚焦区域:
若满足,将所述电场分布作为所述真实头部模型的目标电场分布;
若不满足,根据所述导电块模型的物理参数与所述导磁块模型的物理参数同所述真实头部模型的电场分布的内在关系,调整所述导电块模块及所述导磁块模型的相应物理参数,获得所述目标电场分布。
2.根据权利要求1所述的通过导电块导磁块调控H线圈颅内场分布的装置,其特征在于,所述获取模块,具体用于:
所述真实头部模型包括真实头部结构模型和真实头部电导率模型;其中,通过磁共振成像或CT数据建立包含边缘系统的所述真实头部结构模型,在有限元分析软件中建立包含边缘系统的所述真实头部电导率模型。
3.根据权利要求1所述的通过导电块导磁块调控H线圈颅内场分布的装置,其特征在于,所述第三建立模块,具体用于:
在有限元软件中通过网格划分,将所述真实头部模型、所述H线圈模型分割成有限个单元,建立可进行数值计算的有限元模型;在所述有限元模型上进行加载求解,得到所述H线圈模型在所述真实头部模型的电场分布。
4.根据权利要求1或3所述的通过导电块导磁块调控H线圈颅内场分布的装置,其特征在于所述第三建立模块,还用于:
在所述H线圈模型的回路部分加入所述导电块模型,在底座部分加入所述导磁块模型,进行有限元分析求解,得到不同所述导电块模型、所述导磁块模型的物理参数下所述H线圈模型在所述真实头部模型的电场分布;
进行相关性分析,得到所述导电块模型、所述导磁块模型的物理参数与所述真实头部模型的电场分布的内在关系。
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