[发明专利]沟槽填充结构及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽填充结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底内形成沟槽结构，所述沟槽结构包括若干个第一沟槽，相邻第一沟槽之间有第二沟槽，相邻第一沟槽和第二沟槽之间相互连通，且沿垂直于所述第一沟槽和所述第二沟槽排列方向上，所述第一沟槽具有第一尺寸，所述第二沟槽具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，沿平行于所述第一沟槽和所述第二沟槽排列方向上，所述第一沟槽具有第三尺寸，所述第三尺寸大于所述第二尺寸；

在所述沟槽结构内沉积填充材料，直至所述第二沟槽被完全填充满，在所述沟槽结构内形成沟槽填充结构；

所述沟槽填充结构的形成方法包括：采用第一沉积工艺，在所述第一沟槽和所述第二沟槽内沉积第一填充材料，直至所述第二沟槽的顶部闭合，所述第二沟槽内具有空洞，形成初始填充结构；采用第二沉积工艺，在所述第一沟槽内沉积第二填充材料，通过所述第一沟槽横向填充所述第二沟槽内的空洞，直至所述第二沟槽被完全填充满，在所述沟槽结构内形成所述沟槽填充结构。

2.如权利要求1所述的沟槽填充结构的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽在平行于基底表面的图形包括：圆形、长方形、正方形和椭圆形中的一种或者几种。

3.如权利要求1所述的沟槽填充结构的制备方法，其特征在于，所述第一尺寸为第二尺寸的2倍以上；所述第三尺寸为第二尺寸的2倍以上。

4.如权利要求3所述的沟槽填充结构的制备方法，其特征在于，所述第一尺寸的范围为600纳米～700纳米；所述第二尺寸的范围为160纳米～200纳米；所述第三尺寸的范围为600纳米～700纳米。

5.如权利要求1所述的沟槽填充结构的制备方法，其特征在于，所述沟槽结构的形成方法包括：在所述基底表面形成图形化的光胶层，所述光胶层定义出所述第一沟槽和所述第二沟槽的位置和形状；以所述图形化的光胶层为掩膜，刻蚀所述基底，在所述基底内形成所述沟槽结构。

6.如权利要求1所述的沟槽填充结构的制备方法，其特征在于，所述第一沉积工艺和第二沉积工艺相同或者不同；所述第一沉积工艺包括：原子层沉积工艺、物理气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、流体化学气相沉积工艺或者高深宽比化学气相沉积工艺；所述第二沉积工艺包括：物理气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、流体化学气相沉积工艺或者高深宽比化学气相沉积工艺。

7.一种沟槽填充结构，其特征在于，采用如权利要求1-6任意一项所述的方法制备，包括：

基底；

位于基底内的沟槽结构，所述沟槽结构包括若干个第一沟槽，相邻第一沟槽之间有第二沟槽，相邻第一沟槽和第二沟槽之间相互连通，且沿垂直于所述第一沟槽和所述第二沟槽排列方向上，所述第一沟槽具有第一尺寸，所述第二沟槽具有第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，沿平行于所述第一沟槽和所述第二沟槽排列方向上，所述第一沟槽具有第三尺寸，所述第三尺寸大于所述第二尺寸；

位于所述沟槽结构内的沟槽填充结构，且所述沟槽填充结构填充满第二沟槽。

8.如权利要求7所述的沟槽填充结构，其特征在于，所述第一沟槽在平行于基底表面的图形包括：圆形、长方形、正方形和椭圆形中的一种或者几种。

9.如权利要求7所述的沟槽填充结构，其特征在于，所述第一尺寸为所述第二尺寸的2倍以上；所述第三尺寸为所述第二尺寸的2倍以上。

10.如权利要求9所述的沟槽填充结构，其特征在于，所述第一尺寸的范围为600纳米～700纳米；所述第二尺寸的范围为160纳米～200纳米；所述第三尺寸的范围为600纳米～700纳米。

11.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括由权利要求1-6任意一项所述方法制备的沟槽填充结构或权利要求7-10任意一项所述的沟槽填充结构。