[发明专利]薄膜晶体管阵列基板制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板制造方法包括：

一栅极设置步骤，包括设置一栅极在一玻璃基板上；

一第一N型非晶硅半导体层设置步骤，包括设置一覆盖所述栅极的栅极绝缘层到所述玻璃基板上，且依序堆迭设置一非晶硅半导体层以及一第一N型非晶硅半导体层到所述栅极绝缘层上；

一第一图形化步骤，包括以蚀刻方式同时图形化所述非晶硅半导体层以及一第一N型非晶硅半导体层；

一第二N型非晶硅半导体层设置步骤，包括依序堆迭设置一第二N型非晶硅半导体层以及一源极/漏极金属层到所述栅极绝缘层以及所述第一N型非晶硅半导体层上，其中所述第二N型非晶硅半导体层完全覆盖所述第一N型非晶硅半导体层；

一第二图形化步骤，包括以蚀刻方式同时图形化所述第二N型非晶硅半导体层以及所述源极/漏极金属层，以形成一源极以及一漏极；

一钝化层设置步骤，包括设置一钝化层到所述源极/漏极金属层上；以及

一透明电极设置步骤，包括设置至少一过孔在所述钝化层上，且设置一透明电极到所述钝化层上，其中所述透明电极通过所述过孔而接触所述源极/漏极金属层；

其中，所述第一图形化步骤及所述第二图形化步骤为两不同的图形化步骤，且所述第一图形化步骤、所述第二N型非晶硅半导体层设置步骤、及所述第二图形化步骤是依序执行。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于：在所述第一N型非晶硅半导体层设置步骤中，所述非晶硅半导体层以及所述第一N型非晶硅半导体层是以物理气相沉积法或化学气相沉积法而沉积到所述栅极绝缘层上。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于：在所述第二N型非晶硅半导体层设置步骤中，所述第二N型非晶硅半导体层以及所述源极/漏极金属层是以物理气相沉积法或化学气相沉积法而沉积到所述栅极绝缘层以及所述第一N型非晶硅半导体层上。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于：所述第二图形化步骤包括以蚀刻方式同时图形化所述第一N型非晶硅半导体层、所述第二N型非晶硅半导体层以及所述源极/漏极金属层。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于：所述第二N型非晶硅半导体层作为一欧姆接触层。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于：所述透明电极为氧化铟锡。

7.一种薄膜晶体管阵列基板制造方法，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板制造方法包括：

一栅极设置步骤，包括设置一栅极在一玻璃基板上；

一第一N型非晶硅半导体层设置步骤，包括设置一覆盖所述栅极的栅极绝缘层到所述玻璃基板上，且依序堆迭设置一非晶硅半导体层以及一第一N型非晶硅半导体层到所述栅极绝缘层上；

一第一图形化步骤，包括以蚀刻方式同时图形化所述非晶硅半导体层以及一第一N型非晶硅半导体层；

一第二N型非晶硅半导体层设置步骤，包括依序堆迭设置一第二N型非晶硅半导体层以及一源极/漏极金属层到所述栅极绝缘层以及所述第一N型非晶硅半导体层上，其中所述第二N型非晶硅半导体层完全覆盖所述第一N型非晶硅半导体层；以及

一第二图形化步骤，包括以蚀刻方式同时图形化所述第二N型非晶硅半导体层以及所述源极/漏极金属层，以形成一源极以及一漏极；

其中，所述第一图形化步骤及所述第二图形化步骤为两不同的图形化步骤，且所述第一图形化步骤、所述第二N型非晶硅半导体层设置步骤、及所述第二图形化步骤是依序执行。