[发明专利]晶圆检测工艺中的对焦方法及晶圆检测装置在审

专利信息
申请号: 201811195526.4 申请日: 2018-10-15
公开(公告)号: CN109411381A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 于洋;黄仁德;方桂芹 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;H01L21/67;H01L21/68
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;陈丽丽
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 预设 检测 对焦 晶圆检测 晶圆 物距 晶圆检测装置 检测距离 镜头 半导体制造技术 机台 焦距 种晶 匹配
【权利要求书】:

1.一种晶圆检测工艺中的对焦方法,其特征在于,包括如下步骤:

提供一预设物距,所述预设物距与一检测镜头的预设焦距匹配;

获取待检测晶圆与所述检测镜头之间的检测距离;

判断所述检测距离与所述预设物距之间的差值是否大于预设值,若是,则调整所述检测镜头与所述待检测晶圆之间的距离。

2.根据权利要求1所述的晶圆检测工艺中的对焦方法,其特征在于,提供一预设物距的具体步骤包括:

提供一参考晶圆;

于所述参考晶圆表面任意位置处选择至少一参考点;

获取所述参考点与所述检测镜头之间的距离,作为所述预设物距。

3.根据权利要求2所述的晶圆检测工艺中的对焦方法,其特征在于,获取所述参考点与所述检测镜头之间的距离之前还包括如下步骤:

提供多个参考焦距;

通过所述检测镜头分别获取与每一所述参考焦距对应的一参考点图像;

比较多个所述参考点图像的清晰度,选择与清晰度最高的参考点图像对应的参考焦距作为所述预设焦距。

4.根据权利要求2所述的晶圆检测工艺中的对焦方法,其特征在于,获取待检测晶圆与所述检测镜头之间的检测距离的具体步骤包括:

于所述待检测晶圆的表面选择与所述参考晶圆表面的参考点位置对应的检测点;

获取所述检测点与所述检测镜头之间的距离,作为所述检测距离。

5.根据权利要求1所述的晶圆检测工艺中的对焦方法,其特征在于,所述预设值为0.02μm。

6.一种晶圆检测装置,其特征在于,包括:

存储模块,用于存储一预设物距,所述预设物距与一检测镜头的预设焦距匹配;

获取模块,连接所述存储模块,用于获取待检测晶圆与所述检测镜头之间的检测距离;

控制模块,同时连接所述获取模块和所述存储模块;用于判断所述检测距离与所述预设物距之间的差值是否大于预设值,若是,则调整所述检测镜头与所述待检测晶圆之间的距离。

7.根据权利要求6所述的晶圆检测装置,其特征在于,所述存储模块包括:存储单元,用于存储自一参考晶圆表面任意位置处选择的至少一参考点的位置信息;

检测单元,连接所述存储单元,用于获取所述参考点与所述检测镜头之间的距离,作为所述预设物距。

8.根据权利要求7所述的晶圆检测装置,其特征在于,还包括处理模块;所述处理模块包括:

处理单元,用于通过所述检测镜头分别获取与每一所述参考焦距对应的一参考点图像;

比较单元,同时连接所述存储单元和所述处理单元,用于比较多个所述参考点图像的清晰度,选择与清晰度最高的参考点图像对应的参考焦距作为所述预设焦距。

9.根据权利要求7所述的晶圆检测装置,其特征在于,所述获取模块包括:选择单元,连接所述存储单元,用于在所述待检测晶圆的表面选择与所述参考晶圆表面的参考点位置对应的检测点;

获取单元,连接所述选择单元,用于获取所述检测点与所述检测镜头之间的距离,作为所述检测距离。

10.根据权利要求6所述的晶圆检测装置,其特征在于,所述预设值为0.02μm。

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