[发明专利]一种富硅SiOx-C材料及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种富硅SiOx-C材料的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

a、将SiO置于惰性气体或氮气中歧化反应得到组成为SiO₂@SiO@Si的SiOx，其中，0＜x＜1；

b、将步骤a中的SiOx采用质量分数为35%~44%的HF溶液进行0 .5h~2h刻蚀制得多孔硅基材料，其中，所述SiOx与HF溶液的质量比为2:1~1:2；

c、控制硅源气体流速为1mL/min~4mL/min，通过化学气相沉积法在所述多孔硅基材料的内部沉积硅，得到富硅SiOx材料；

d、将所述硅源气体更换为碳源气体，控制所述碳源气体流速为1mL/min~4mL/min，再通过化学气相沉积法在所述富硅SiOx材料的孔结构及表面形成厚度为10nm~100nm的碳包覆层，制得富硅SiOx-C材料，所述富硅SiOx-C材料中硅晶粒粒径为3nm~20nm。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤a中，所述的惰性气体为氩气、氦气、氖气中的一种或几种；

所述歧化反应其温度为900℃~1200℃，反应时间为2h~12h。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤b中，所述刻蚀的工艺具体为采用HF溶液刻蚀后，过滤、洗涤、真空干燥，其中，所述的真空干燥的温度为80℃~100℃，真空度为-0 .8MPa~-1MPa。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤c中，所述硅源气体为硅烷、二氯硅烷、三氯硅烷、四氯硅烷中的一种或几种；所述化学气相沉积法，其沉积温度为600℃~1000℃，沉积时间为2h~12h。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：在步骤d中，所述碳源气体为甲烷或其同系物、乙炔或其同系物、甲苯或其同系物、乙醇或其同系物中的一种或几种；所述化学气相沉积法，其沉积温度为700℃~1000℃，沉积时间为2h~12h。

6.一种通过权利要求1~5任一项所述的制备方法制得的富硅SiOx-C材料。

7.如权利要求6所述的富硅SiOx-C材料在用于制备锂离子电池中的应用。