[发明专利]一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器及滤波器

说明书

本发明公开了一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器，包括15°铌酸锂基片，所述基片上梳状设置有金属指条，所述基片及金属指条上设置有一层二氧化硅温度补偿层，所述金属指条的宽度d与所述超宽带声表面波谐振器的半个谐振周期p的比值的取值范围为0.28‑0.38，且所述金属指条的厚度h与所述超宽带声表面波谐振器的一个谐振周期2p的比值的取值范围为0.08‑0.11。本发明公开了一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器，在基片及金属指条上设置一层二氧化硅温度补偿层，能够使其频率温度系数小于‑30ppm/℃，从而是谐振器及滤波器的温度稳定性。此外，本发明还公开了一种温度补偿型低损耗超宽带滤波器。

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，尤其涉及一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器及滤波器。

背景技术

传统低损耗声表面波滤波器的相对带宽限制在0.1-5%之间，而为了满足5-20%的相对带宽的性能要求，则必须使用LC滤波器（无源滤波器）或者MEMS（Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统）滤波器，而LC滤波器或者MEMS滤波器的体积都远大于传统低损耗声表面波滤波器。

现有技术中，一种低损耗超宽带滤波器采用在15°铌酸锂（LiNbO3）上镀铜指条的方法，可以实现相对带宽大于12%的声表面波滤波器。由于15°铌酸锂材料对温度特别敏感，故制作的滤波器频率会随工作温度变化产生漂移，其频率温度系数高达到-116ppm/℃，这会影响滤波器的实际使用。随着在军、民通讯领域被定义的频段越来越多，不断增多的频带之间的间隙会越来越窄，对滤波器的温度稳定性的要求也越来越高。

因此，如何提高现有的低损耗超带宽滤波器的温度稳定性成为了本领域技术人员急需解决的问题。

发明内容

针对现有技术存在的上述不足，本发明公开了一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器，在基片及金属指条上设置一层二氧化硅温度补偿层，能够使其频率温度系数小于-30ppm/℃，从而是谐振器及滤波器的温度稳定性。

为解决上述技术问题，本发明采用了如下的技术方案：

一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器，包括15°铌酸锂基片，所述基片上梳状设置有金属指条，所述基片及金属指条上设置有一层二氧化硅温度补偿层，所述金属指条的宽度d与所述超宽带声表面波谐振器的半个谐振周期p的比值的取值范围为0.28-0.38，且所述金属指条的厚度h与所述超宽带声表面波谐振器的一个谐振周期2p的比值的取值范围为0.08-0.11。

优选地，所述金属指条为铜指条。

优选地，所述二氧化硅温度补偿层的厚度为金属指条的4至5倍。

一种温度补偿型低损耗超宽带滤波器，使用上述的温度补偿型低损耗超宽带谐振器作为所述温度补偿型低损耗超宽带滤波器中的谐振器。

优选地，所述温度补偿型低损耗超宽带滤波器包括3个所述温度补偿型低损耗超宽带谐振器，分别为谐振器RP1、谐振器RS1及谐振器RS2，其中，所述谐振器RS1和所述谐振器RS2串联形成串联支路，所述谐振器RP1与所述串联支路并联。

综上所述，本发明公开了一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器，包括15°铌酸锂基片，所述基片上梳状设置有金属指条，所述基片及金属指条上设置有一层二氧化硅温度补偿层，所述金属指条的宽度d与所述超宽带声表面波谐振器的半个谐振周期p的比值的取值范围为0.28-0.38，且所述金属指条的厚度h与所述超宽带声表面波谐振器的一个谐振周期2p的比值的取值范围为0.08-0.11。本发明公开了一种温度补偿型低损耗超宽带谐振器，在基片及金属指条上设置一层二氧化硅温度补偿层，能够使其频率温度系数小于-30ppm/℃，从而是谐振器及滤波器的温度稳定性。此外，本发明还公开了一种温度补偿型低损耗超宽带滤波器。

附图说明