[发明专利]一种基于石墨烯的高可靠性的发热膜及其制备方法

权利要求书

1.一种基于石墨烯的高可靠性的发热膜，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的透明基底、附着胶层、石墨烯复合层和电极层，其中，

所述石墨烯复合层包括石墨烯层，以及位于所述石墨烯层上的阻抗匹配层，所述电极层的电极包括依次贯穿所述阻抗匹配层和石墨烯层的接触部，以及位于所述接触部顶部的搭接部，且所述接触部与所述附着胶层相接触，所述搭接部与所述阻抗匹配层相搭接。

2.如权利要求1所述的一种基于石墨烯的高可靠性的发热膜，其特征在于，所述石墨烯层具有连续的二维结构。

3.如权利要求2所述的一种基于石墨烯的高可靠性的发热膜，其特征在于，所述石墨烯复合层还包括设置在所述石墨烯层与所述阻抗匹配层之间的封装粘结层，且所述封装粘结层的厚度小于所述二维结构的最大高度。

4.如权利要求3所述的一种基于石墨烯的高可靠性的发热膜，其特征在于，所述封装粘结层为涂布在所述石墨烯层上的高分子成膜树脂固化成膜而成，和/或，所述阻抗匹配层为涂布在所述封装粘结层上的导电高分子材料固化成膜而成。

5.如权利要求3或4所述的一种基于石墨烯的高可靠性的发热膜，其特征在于，所述封装粘结层的厚度为100~2000nm；和/或，所述阻抗匹配层的厚度为10~500nm。

6.如权利要求5所述的一种基于石墨烯的高可靠性的发热膜，其特征在于，所述封装粘结层的成膜厚度为200~500nm，和/或，所述阻抗匹配层的干膜厚度为50~200nm。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的基于石墨烯的高可靠性的发热膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1，将CVD法制备的石墨烯薄膜复型转移至透明基底上；

S2，在石墨烯薄膜表面涂布一层高分子成膜树脂，并固化成膜得到封装粘结层；

S3，在所述封装粘结层上涂布一层导电材料，并固化成膜得到阻抗匹配层；

S4，按照预设的电极图案，在所述阻抗匹配层、封装粘结层和石墨烯层进行激光刻蚀，然后印刷电极浆料；

其中，所述步骤S4中激光刻蚀时，所采用的激光机的激光波长为355-1064nm，功率为1-50W。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中的石墨烯薄膜是在经过粗糙化的生长基底上制备得到的，且其表面具有连续二维结构。

9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中采用的是液态胶黏剂将所述石墨烯薄膜复型转移至所述透明基底上的。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，采用高温退火法对所述生长基底进行粗糙化，退火温度为980℃-1050℃，真空度至20Pa-60Pa，持续退火1-10min。