[发明专利]一种测试PDFN封装MOS管电应力装置及开关电源

权利要求书

1.一种测试PDFN封装MOS管电应力装置，应用于待测产品的MOS管电应力测试，其特征在于，所述装置包括双层PCB板，所述双层PCB板包括第一连接面(10)和第二连接面(20)；

所述第一连接面(10)包括第一漏极连接区(101)和第一栅极连接区(102)；所述第二连接面(20)包括第二漏极连接区(201)、第二栅极连接区(202)、以及第二源极连接区(203)；

所述第一漏极连接区(101)通过通孔(30)连接所述第二漏极连接区(201)，所述第一栅极连接区(102)通过通孔(30)连接所述第二栅极连接区(202)；

所述双层PCB板的第一连接面(10)连接至所述待测产品的MOS管安装处，所述MOS管连接至所述双层PCB板的第二连接面(20)。

2.根据权利要求1所述的测试PDFN封装MOS管电应力装置，其特征在于，所述第一漏极连接区(101)连接至所述待测产品上用于安装MOS管的漏极安装位；

所述第一栅极连接区(102)连接至所述待测产品上用于安装MOS管的栅极安装位。

3.根据权利要求2所述的测试PDFN封装MOS管电应力装置，其特征在于，所述第一漏极连接区(101)通过焊锡连接至所述待测产品上用于安装MOS管的漏极安装位；

所述第一栅极连接区(102)通过焊锡连接至所述待测产品上用于安装MOS管的栅极安装位。

4.根据权利要求1所述的测试PDFN封装MOS管电应力装置，其特征在于，所述第二源极连接区(203)通过导线连接所述待测产品上用于安装MOS管的源极安装位。

5.根据权利要求1所述的测试PDFN封装MOS管电应力装置，其特征在于，所述MOS管的漏极连接所述第二漏极连接区(201)，所述MOS管的栅极连接所述第二栅极连接区(202)，所述MOS管的源极连接所述第二源极连接区(203)。

6.根据权利要求1所述的测试PDFN封装MOS管电应力装置，其特征在于，所述第一漏极连接区(101)通过至少两个通孔(30)连接所述第二漏极连接区(201)，所述第一栅极连接区(102)通过至少两个通孔(30)连接所述第二栅极连接区(202)。

7.根据权利要求1所述的测试PDFN封装MOS管电应力装置，其特征在于，第一漏极连接区(101)和第一栅极连接区(102)为铜层；

所述第二漏极连接区(201)、第二栅极连接区(202)、以及第二源极连接区(203)为铜层。

8.根据权利要求1所述的测试PDFN封装MOS管电应力装置，其特征在于，所述第一漏极连接区(101)通过铜质通孔(30)连接所述第二漏极连接区(201)，所述第一栅极连接区(102)通过铜质通孔(30)连接所述第二栅极连接区(202)。

9.根据权利要求1所述的测试PDFN封装MOS管电应力装置，其特征在于，所述MOS管为PDFN封装的高功率MOS管。