[发明专利]制造介电层的方法

说明书

一种制造介电层的方法包括在基材上方形成第一介电膜。在第一介电膜上方沉积第一成孔剂。在第一介电膜以及第一成孔剂上形成第二介电膜。第二介电膜与第一介电膜以及第一成孔剂接触。移除第一成孔剂。

技术领域

本案是关于一种介电层的制造方法、互连结构的制造方法以及介电层。

背景技术

介电常数k是材料的绝缘性质的值。由于可以经由使用低介电常数介电质作为金属间或层级间的绝缘材料获得的改良的电气效能，低介电常数介电材料在集成电路中变得日渐风行。例如，与传统层级间介电质相比，采用低介电常数介电质的装置或电路的RC时间常数可以实质上降低，因此允许更快速的切换速度及改良装置效能。

在现代半导体装置中，低介电常数介电材料用作层级间(亦称为金属间)介电质以使一个金属层级与另一个金属层级绝缘。如在本领域中熟知的，金属层级在彼此之上堆叠以形成完整的集成电路，其中层级间介电膜用作其间的绝缘材料。在镶嵌金属化制程中，层级间介电材料亦用作其中形成金属迹线的支撑层。具有六个、八个及甚至更大数量的堆叠的金属层的集成电路是在本领域中已知的。趋势表明堆叠金属层的数量将随时间增加。

发明内容

于一或多个实施方式中，一种用于制造介电层的方法包括在基材上方形成第一介电膜。在第一介电膜上方沉积第一成孔剂(porogen)。在第一介电膜以及第一成孔剂上形成第二介电膜。第二介电膜与第一介电膜以及第一成孔剂接触。移除第一成孔剂。

附图说明

当结合随附附图阅读时，自以下详细描述将很好地理解本揭示的态样。应注意，根据工业中的标准实务，各个特征并非按比例绘制。事实上，出于论述清晰的目的，可任意增加或减小各个特征的尺寸。

图1A至图1H是根据本揭示的一些实施方式的通过在各个阶段处执行原子层沉积制程的用于制造超低介电常数介电层的方法的横截面图；

图2A至图2E是根据本揭示的一些实施方式的超低介电常数介电层120的横截面图；

图3A至图3G是根据本揭示的一些实施方式的在各个阶段处的用于制造互连结构的方法的横截面图。

具体实施方式

以下揭示内容提供许多不同实施方式或实例，以便实施所提供标的的不同特征。下文描述部件及排列的特定实例以简化本揭示。当然，这些仅为实例且并不意欲为限制性。例如，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接触形成第一特征及第二特征的实施方式，且亦可包括在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征及第二特征可不处于直接接触的实施方式。另外，本揭示可在各个实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简便性及清晰的目的且本身并不指示所论述的各个实施方式及/或配置之间的关系。

另外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所示出的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中装置的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向)且由此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。

如本文所使用，“大约(around)”、“约(about)”、“近似(approximately)”、或“实质上(substantially)”应当通常意指在给定值或范围的20％内、或10％内、或5％内。本文给出的数字数量是近似的，意指若并未明确声明，则术语“大约(around)”、“约(about)”、“近似(approximately)”、或“实质上(substantially)”可以是推断的。