[发明专利]一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用有效
申请号: | 201811185568.X | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN111048415B | 公开(公告)日: | 2023-03-14 |
发明(设计)人: | 王溯;蒋闯;季峥;李成克 | 申请(专利权)人: | 上海新阳半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/28 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;袁红 |
地址: | 201616 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 选择性 刻蚀 组合 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种选择性刻蚀液组合物,其特征在于,其包括以下组分:如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物,磷酸和水;
其中,式I中,n为1~15任一整数;X为O或N;R1、R2、R3和R4独立地为甲基;
式II中,m为0、1、2、3、4、5或6;p为0或1;q为0、1、2、3、4、5或6;R5、R6和R7独立地为直链C1-10烷基、支链C3-10烷基或C1-10烷氧基;R8为C3-30杂芳基或取代的C3-30杂芳基;所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基的杂原子独立为N、S和O中的一种或多种;
R8中取代的C3-30杂芳基中的取代基独立选自卤素、C1-6羧酸、硼酸、硝基和氨基;所述如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物的含量为2.0~4.0%;所述百分比为含硅杂原子化合物的质量占所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。
2.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物,其特征在于,所述选择性刻蚀液组合物中,所述如式I所示和/或如式II所示的含硅杂原子化合物的含量为2.5~3.5%,所述百分比为含硅杂原子化合物的质量占所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比;
和/或,所述如式I所示含硅杂原子化合物和所述如式II所示的含硅杂原子化合物在添加至组合物前,所述如式I所示含硅杂原子化合物和如式II所示的含硅杂原子化合物与酸形成酸式盐,所述盐为盐酸盐、硫酸盐或季铵盐中的一种或多种;
和/或,所述水为去离子水。
3.如权利要求2所述选择性刻蚀液组合物,其特征在于,所述选择性刻蚀液组合物中,所述磷酸的含量为80~85%,所述百分比为磷酸的质量占所述选择性刻蚀液组合物总质量的质量百分比。
4.如权利要求1所述选择性刻蚀液组合物,其特征在于,如式I所示含硅杂原子化合物中,所述n为1~9中任一整数;
和/或,如式I所示含硅杂原子化合物中,所述X为O;
和/或,如式II所示含硅杂原子化合物中,所述m为0、1、2或3;
和/或,如式II所示含硅杂原子化合物中,所述q为0、1或2;
和/或,R5、R6和R7中,所述直链C1-10烷基中的C1-10烷基独立地为C1-6烷基;
和/或,R5、R6和R7中,所述C1-10烷氧基独立地为C1-6烷氧基;
和/或,R8中,所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基中的杂原子的个数为1个或多个;
和/或,所述C3-30杂芳基和所述取代的C3-30杂芳基中C3-30杂芳基独立地为C3-14杂芳基;
和/或,R8中,所述取代基的个数为1个或多个;
和/或,所述如式II所示的含硅杂原子化合物中,当R8中含有N时,所述如式II所示的含硅杂原子化合物中与R8中的N原子相连。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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