[发明专利]一种LTCC基板共烧阻焊层制作方法在审
申请号: | 201811185254.X | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN109524310A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 王伟;沐方清;孙轼;项玮;董兆文 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十三研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 王丽丽;金凯 |
地址: | 230088 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻焊 阻焊层 浆料 无水乙醇 共烧 印刷 制作 导体浆料 焊接浆料 研磨 生瓷片 研磨体 基板 产品工艺 基板表面 基板导体 有机载体 抽风柜 搅拌棒 丝网版 粘稠状 多层 放入 挥发 热压 制备 烧制 体内 印制 分割 | ||
本发明涉及一种LTCC基板共烧阻焊层制作方法,包括:S1:制作阻焊浆料:将生瓷片分割为尺寸较小的片状放入研磨体中;倒入无水乙醇,使用搅拌棒进行搅拌,使生瓷片充分溶于无水乙醇;待研磨体内的液体变成粘稠状时,将研磨体置于抽风柜内,等待无水乙醇挥发干净后,加入有机载体进行研磨,制成阻焊浆料;S2:制作阻焊层印刷用丝网版;S3:在基板导体印制阶段,待焊接浆料和导体浆料印刷完毕后,使用所述阻焊浆料进行基板表面多层热压层叠印刷;S4:将印刷后的基板进行烧制,使焊接浆料、导体浆料和阻焊浆料紧密结合,形成LTCC基板。本发明所述的基板共烧阻焊层制作方法缩减了产品工艺制备流程,提高了阻焊精度及阻焊可靠性。
技术领域
本发明涉及微电子的低温共烧陶瓷基板制作技术领域,具体涉及一种LTCC基板共烧阻焊层制作方法。
背景技术
近年来,随着微电子信息技术的不断发展,电子整机朝着小型化、便携化、多功能、数字化等方向发展,推动着电子元器件不断向微型化、集成化和高频化方向发展。LTCC即低温共烧陶瓷,是将低温烧结陶瓷粉做成生瓷膜带,在生瓷帯上经过切片、冲孔、填孔、导带印制、叠层、热压后在850℃一次性烧结而成的,在三维空间互不干扰的高密度电路中,实现了系统小型化和集成化。为实现LTCC基板的后续组装功能,需要在LTCC基板表面制作由银、钯银、铂钯金浆料构成的具备焊接功能的焊盘,制作由金、银等良金属导体制作的具备其它功能性电连接图形。在焊接类焊盘与其它功能金属图形搭接处,为避免焊接时焊料流淌到其它金属图形区域造成开路,同时为实现类似于BGA、PGA等高密度组装的需求,需要在不同焊盘之间以及焊盘与其它金属导体之间制作合适的阻焊层,来提高LTCC基板组装可靠性。
传统的阻焊层制作方法是从成熟的厚膜工艺演化而来,即在LTCC基板共烧结束形成致密的陶瓷体后,通过在特定区域后印阻焊层,再经过500℃后烧的方式来实现。但不同于厚膜电路基板尺寸的均一性, LTCC基板在共烧阶段存在收缩率不一致的特点,一般收缩率偏差在±3 ‰左右,以尺寸为50mm*50mm的LTCC基板为例,基板尺寸偏差在±0.15mm左右,而阻焊层位置精度需要控制在±0.05mm以内,这就为高精度阻焊层制作带来了一定难度。同时,为实现阻焊层的功能,LTCC基板阻焊层印刷完毕后,需要再经历一次后烧,但每经过一次后烧,既增加了LTCC基板制作复杂程度,同时也会影响LTCC基板诸于膜层附着力、基板强度等性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种LTCC基板共烧阻焊层制作方法,该方法制作过程监督,能够提供基板的轻度及膜层的附着力。
为实现上述目的,本发明采用了以下技术方案:
一种LTCC基板共烧阻焊层制作方法,包括以下步骤:
S1:制作阻焊浆料;
S11:将生瓷片分割为尺寸较小的片状放入研磨体中;
S12:倒入无水乙醇,使用搅拌棒进行搅拌,使生瓷片充分溶于无水乙醇;
S13:待研磨体内的液体变成粘稠状时,将研磨体置于抽风柜内,等待无水乙醇挥发干净后,加入有机载体进行研磨,制成阻焊浆料;
S2:制作阻焊层印刷用丝网版;
S3:在基板导体印制阶段,待焊接浆料和导体浆料印刷完毕后,使用所述阻焊浆料进行基板表面多层印刷;
S4:将印刷后的基板进行烧制,使焊接浆料、导体浆料和阻焊浆料结紧密结合,形成LTCC基板。
进一步的,所述步骤S12中,使用搅拌棒搅拌的时间为15~20分钟。
进一步的,所述步骤S13中,加入有机载体进行研磨的时间为2~3小时。
进一步的,所述有机载体由松油醇、乙基纤维素和导体浆料稀释剂调配而成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造