[发明专利]一种金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用在审
| 申请号： | 201811184957.0 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN109490218A | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李少平;贺兆波;张庭;冯凯;尹印;姜飞;王书萍 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/21 | 分类号： | G01N21/21;G01N21/25 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子级磷酸 多晶硅蚀刻 金属离子 金属杂质 蚀刻 多晶硅蚀刻液 金属添加剂 种类金属 导体 金属盐 蚀刻液 检测 生产工艺 离子 应用 验证 分析 保证 生产 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述的金属离子在电子级磷酸中对多晶硅蚀刻速率的检测，其中电子级磷酸浓度为85%-86%。
2.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，蚀刻温度为150-200℃，蚀刻时间为5-60min。
3.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述的金属离子包括Fe3+、Ni2+、Sb3+、Cu2+、Zn2+中的任意一种。
4.根据权利要求3所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，将权利要求3所述的金属离子添加到电子级磷酸中混合均匀进行多晶硅蚀刻；所述的金属盐的添加量以金属量计算为0-100 ppm。
5.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述三价铁盐为三氯化铁。
6.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述二价镍盐为氯化镍。
7.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述三价锑盐为三氯化锑。
8.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述二价铜盐为氯化铜。
9.根据权利要求1所述的金属离子在检测多晶硅蚀刻速率上的应用，其特征在于，所述二价锌盐为氯化锌。
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