[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

形成于所述基板上的栅极层；

形成于所述基板上、且覆盖所述栅极层的栅极绝缘层；

形成于所述栅极绝缘层上的半导体层，所述半导体层包括沟道区；

形成于所述半导体层上的源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔所述沟道区而相对设置；

形成于所述栅极绝缘层、源极层、漏极层以及所述半导体层的沟道区上的钝化层；

其中，对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹凸表面为凹凸均匀的锯齿状表面。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述沟道区的垂直投影区域位于所述栅极层的垂直投影区域内，对应于所述栅极层的钝化层具有凹凸表面。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，对应于所述漏极层的钝化层设置有通孔，所述通孔用于实现所述漏极层和透明电极层的连接。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层为SiNx层，所述半导体层为A-si层。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成栅极层；

在所述基板上和所述栅极层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

在所述半导体层上形成源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔设置，以在所述源极层和所述漏极层之间形成所述半导体层的沟道区；

在所述栅极绝缘层、源极层、漏极层以及所述半导体层的沟道区上形成钝化层；

对所述钝化层进行蚀刻，以使得对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述对所述钝化层进行蚀刻，包括：

提供一光罩，所述光罩上设置有多个第一透光孔和一个第二透光孔，所述第一透光孔的宽度小于曝光机的解析度；

在所述钝化层上形成光阻层，并将光罩罩设在所述光阻层上，其中所述多个第一透光孔位于与所述沟道区对应的光阻层上方，所述第二透光孔位于与所述漏极层对应的光阻层上方；

利用所述曝光机对光阻层进行曝光；

对曝光后的所述光阻层进行显影处理，以除去曝光的光阻层；

以显影后的光阻层为掩模对所述钝化层进行蚀刻，以使得对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面，并在对应于所述漏极层的钝化层中形成通孔。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述多个第一透光孔位于与所述栅极层对应的光阻层上方；

所述在所述半导体层上形成源极层和漏极层，所述源极层和漏极层间隔设置，以在所述源极层和所述漏极层之间形成所述半导体层的沟道区，包括：使所述沟道区的垂直投影区域位于所述栅极层的垂直投影区域内。

9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述对所述钝化层进行蚀刻，包括：

提供一光罩，所述光罩上设置有半透膜区域以及一透光孔；

在所述钝化层上形成光阻层，并将光罩罩设在所述光阻层上，其中所述半透膜区域位于与所述沟道区对应的光阻层上方，所述透光孔位于与所述漏极层对应的光阻层上方；

利用曝光机对光阻层进行曝光；

对曝光后的所述光阻层进行显影处理，以除去曝光的光阻层；

以显影后的光阻层为掩模对所述钝化层进行蚀刻，以使得对应于所述沟道区的钝化层具有凹凸表面，并在对应于所述漏极层的钝化层中形成通孔。

10.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述钝化层为SiNx层，所述半导体层为A-si层。