[发明专利]半导体器件和半导体系统有效
申请号: | 201811183044.7 | 申请日: | 2018-10-11 |
公开(公告)号: | CN109828192B | 公开(公告)日: | 2023-09-15 |
发明(设计)人: | 竹内干;小西信也;土屋文男;岛田将树 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉;张昊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 半导体 系统 | ||
1.一种半导体器件,包括:
第一监控电路,使用第一温度传感器监控所述半导体器件的第一温度,或者使用第一电压传感器监控所述半导体器件的第一电压;
第二监控电路,使用第二温度传感器监控所述半导体器件的第二温度,或者使用第二电压传感器监控所述半导体器件的第二电压;以及
校正电路,被配置为:
接收来自所述第一监控电路的所述第一温度或所述第一电压以及来自所述第二监控电路的所述第二温度或所述第二电压;
基于所述第一温度和所述第二温度、或者基于所述第一电压和所述第二电压,生成校正信息;以及
将所生成的校正信息传输至所述第二监控电路,
其中当所述半导体器件的所述第一温度高于阈值温度时,所述第二监控电路使用所传输的校正信息校正所述第二温度或所述第二电压,以及
其中所述第一监控电路具有的面积大于所述第二监控电路的面积。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,
其中所述第一温度传感器使用带隙温度电路检测所述第一温度,并且
其中所述第二温度传感器基于由环形振荡器测量的泄漏电流检测所述第一温度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,
其中所述第一电压传感器使用模数转换电路检测所述第一电压,并且
其中所述第二电压传感器使用具有电压依赖性的环形振荡器检测所述第二电压。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括存储所述校正信息的非易失性存储器件。
5.一种半导体系统,包括:
半导体器件;以及
非易失性存储器件,
其中所述半导体器件包括:
第一监控电路,根据所述半导体器件的第一温度或第一电压生成第一信息;
第二监控电路,根据所述半导体器件的第二温度或第二电压生成第二信息;
校正电路,被配置为:
接收来自所述第一监控电路的所述第一信息和来自所述第二监控电路的所述第二信息;
基于所接收的第一信息和所接收的第二信息生成校正电路;
将所生成的校正信息存储到所述非易失性存储器件中;并且
将所生成的校正信息传输至所述第二监控电路,其中所述第二监控电路使用所发送的校正信息对所述第二信息进行校正,以生成第三信息,所述第三信息是校正后的所述第二信息;以及
检查电路,被配置为:
接收来自所述第一监控电路的所述第一信息和来自所述第二监控电路的所述第三信息;并且
根据所述第一信息和所述第三信息确定所述第一监控电路的异常操作,
其中所述第一监控电路的面积大于所述第二监控电路的面积。
6.根据权利要求5所述的半导体系统,
其中所述第一监控电路使用带隙温度电路检测所述第一温度,并且
其中所述第二监控电路基于由环形振荡器测量的泄漏电流检测所述第二温度。
7.根据权利要求5所述的半导体系统,
其中第一电压传感器使用模数转换电路检测所述第一电压,并且
其中第二电压传感器使用具有电压依赖性的环形振荡器检测所述第二电压。
8.根据权利要求5所述的半导体系统,其中在所述半导体器件被安装在所述半导体系统中之后,所述第三信息被存储在所述非易失性存储器件中。
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