[发明专利]用于检测集成电路中的差分故障分析攻击和对衬底的减薄的方法以及相关集成电路

说明书

集成电路包括具有背面的半导体衬底。衬底内的第一半导体阱包括电路部件。衬底内的第二半导体阱与第一半导体阱和衬底的其余部分绝缘。第二半导体阱提供了检测设备，该检测设备是可配置的并且被设计为在第一配置中检测经由衬底的背面对衬底的减薄，并且在第二配置中检测通过向集成电路中的故障注入而进行的DFA攻击。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月11日提交的法国专利申请号1759519的优先权，其内容在法律允许的最大程度上通过整体引用并入于此。

技术领域

各种实施例及其实现涉及集成电路，更具体地，涉及检测从集成电路的衬底背面对集成电路的衬底的潜在减薄以及检测通过故障注入进行的差分故障分析(DFA)攻击。

背景技术

在欺诈者为了从集成电路的存储器(例如智能卡的受保护的存储器)中提取机密数据而进行的可能攻击中，可以提及使用故障注入进行的已知差分故障分析(DFA)攻击。这些攻击的目的是干扰存储器的操作和/或内容，或者其它的，以例如借助于通过芯片背面传输的一种辐射(激光、红外线、X射线等)来修改电路的逻辑操作。

因此，这种可能的攻击例如可以通过使用聚焦离子束(FIB)的聚焦离子束，或者例如借助于激光束来执行。

因此，寻求保护电子电路免受背面激光攻击是特别有益的。

当攻击者从集成电路的衬底的背面开始对集成电路的衬底进行减薄以便尽可能接近集成电路的在其正面上形成的部件时，这样的攻击的有效性增加。

存在用于检测对衬底的减薄的装置，其允许集成电路被保护以免受该类型的攻击。

存在能够以简单的方式检测经由背面对衬底的减薄和DFA攻击两者的需要。

发明内容

根据一个实施例及其实现，该需要得以通过简单的实现、减小的表面积来满足，并且同时提供保护以免由集成电路的部件造成的潜在干扰影响。

根据一个方面，提供了用于检测对集成电路的攻击的方法，该集成电路包括具有背面的衬底，该方法包括：在衬底中形成包括部件的第一半导体阱以及与第一半导体阱和衬底的其余部分绝缘的至少第二半导体阱；通过检测不存在在第二阱中流动的电流，来检测经由衬底的背面对衬底的减薄；以及在检测到衬底的未减薄的情况下，通过检测在第二阱中流动的电流的流动来检测DFA攻击。

根据另一方面，提供了电子集成电路，其包括具有背面的半导体衬底，并且包括至少第一半导体阱以及至少第二半导体阱，第一半导体阱包括部件(例如晶体管)，第二半导体阱与第一半导体阱和衬底的其余部分绝缘，第二阱包括可配置的检测设备，该可配置的检测设备被设计成在第一配置中检测经由衬底的背面对衬底的减薄，并且在第二配置中检测用于DFA的向集成电路中的故障注入。

因此，集成电路的保护是通过同一手段实现的，以防包括对衬底的减薄的攻击和通过故障注入进行的DFA攻击。

这有利地允许相对于包括两个独立检测设备的集成电路的表面积的增益。

此外，在与包括部件的第一阱电隔离的第二阱中形成检测设备，使得能够保护检测设备免受来自这些部件的干扰影响，从而消除了在检测期间对于禁用部件的任何手段的需要，因此允许表面积的额外增益。

根据一个实施例，衬底具有与背面相对的正面，并且设备包括：至少第一隔离沟槽的组，其在第二阱外围的两个位置之间在第二阱中、从正面一直延伸到位于距至少第二阱的底部一定距离的位置处；以及检测电路，该检测电路被配置为在第一配置中测量表示分别位于至少第一隔离沟槽的组的每一侧上的两个接触区域之间的第二阱的电阻的物理量，并且在所述第二配置中检测在两个接触区域之间流动的电流的存在。