[发明专利]对被处理体进行处理的方法有效
| 申请号: | 201811179357.5 | 申请日: | 2018-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN109659254B | 公开(公告)日: | 2023-05-16 |
| 发明(设计)人: | 森泽大辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 进行 方法 | ||
1.一种对被处理体进行处理的方法,
具备串行地执行包括主工艺和第一副工艺~第M副工艺的多个工艺的工序,其中,M为正整数,
表示所述主工艺的一次执行的指标值在每次执行该主工艺时被累加,
所述主工艺在所述工序中被执行多次,
第i所述副工艺在所述工序中被执行一次或多次,i为满足1≤i≤M的正整数,
第i所述副工艺继所述主工艺的一次或连续多次的执行之后被执行,
在从所述工序开始起累加的所述指标值的累计满足第i应用条件的情况下,第i所述副工艺在该工序中被应用,
在从所述工序开始起累加的所述指标值的累计满足第i所述应用条件的情况下,第i所述副工艺在该工序开始后存在已经执行的副工艺时从最后被执行的该副工艺的执行时起累加得到的该指标值的合计满足第i执行条件的时间点被执行,或者,第i所述副工艺在该工序开始后不存在已经执行的副工艺时从该工序开始时起累加得到的该指标值的合计满足第i执行条件的时间点被执行,
第i所述应用条件和第i所述执行条件均能够变更,
第k所述应用条件为从所述工序开始起累加的所述指标值的累计值α满足L(k-1)α≤L(k),k为满足1≤k≤M-1的正整数,
L(k-1)、L(k)均为0以上的实数,并满足L(k-1)L(k),
第一所述副工艺~第M所述副工艺中的、在所述工序中最后应用的第M所述副工艺的第M所述应用条件为从该工序开始起累加的所述指标值的累计值α满足L(M-1)α,
第i所述执行条件为,在所述工序开始后存在已经执行的副工艺的情况下,从最后被执行的该副工艺的执行时起累加得到的所述指标值的合计值β满足βK(i),或者,在该工序开始后不存在已经执行的副工艺的情况下,从所述工序开始时起累加得到的该指标值的合计值β满足βK(i),
K(i)为正的实数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,
所述指标值为通过所述主工艺的一次执行所处理的所述被处理体的片数和在该主工艺为成膜工艺的情况下通过该主工艺的一次执行而在该被处理体上成膜的膜的膜厚中的任一个。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,
所述主工艺是通过向处理容器内供给气体来对配置在该处理容器内的所述被处理体进行的处理,
所述副工艺是对所述处理容器内进行吹扫的处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





