[发明专利]灰阶掩膜板在审
申请号: | 201811179305.8 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN109143772A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 万志龙;杨鹏;庄崇营;谭晓彬;柳发霖;于春琦;李林 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/32 | 分类号: | G03F1/32 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 唐维虎 |
地址: | 516600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 灰阶图案 灰阶 透光图案 遮光图案 掩膜板 几何中心点 半曝光区 边缘重合 光刻胶 多行多列 非透明区 距离相等 均匀作用 曝光显影 相邻两列 相邻两行 控制光 透明区 光能 显影 掩膜 制程 曝光 申请 | ||
本申请提供的灰阶掩膜板,包括透明区、非透明区及包括呈多行多列排列的灰阶图案的灰阶区;任意相邻两行的灰阶图案中,其中一行灰阶图案的遮光图案与另一行灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合;任意相邻两列的灰阶图案中,其中一列灰阶图案的遮光图案与另一列灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合;透光图案的几何中心点到相邻的遮光图案边缘的距离,与所述遮光图案的几何中心点到相邻的透光图案边缘的距离相等。经过上述灰阶掩膜板后的光能均匀作用在灰阶区对应的半曝光区的光刻胶上;控制光刻过程中半曝光区的光刻胶在曝光显影后的显影高度。采用上述掩膜板可以使曝光更加简单,制程成本大幅度降低。
技术领域
本申请涉及光刻掩膜板制造技术领域,具体而言,涉及一种灰阶掩膜板。
背景技术
随着智能终端(比如,智能手机、智能电视、智能手表、平板电脑等)的兴起,薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,简称:TFT-LCD)越来越多的应用到上述智能终端中。TFT-LCD产业竞争异常激烈,高性价比的TFT-LCD屏不断推入市场。如何在保证TFT-LCD屏质量的情况下,降低生产成本成为企业在激烈市场竞争中获得有利地位的重要保障。在TFT-LCD屏制程工艺中,曝光在整制程工艺中占据着很大一部分成本,如何在减少曝光次数的前提下,保证曝光质量,对于本领域技术人员而言是急需要解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此,本申请的目的在于提供一种灰阶掩膜板,以解决上述问题。
本申请实施例提供一种灰阶掩膜板,该灰阶掩膜板包括透光区、非透光区以及灰阶区,所述灰阶区包括呈多行多列排列的灰阶图案,每一行灰阶图案包括间隔设置的透光图案和遮光图案;
任意相邻两行的灰阶图案中,其中一行灰阶图案的遮光图案与另一行灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合;
任意相邻两列的灰阶图案中,其中一列灰阶图案的遮光图案与另一列灰阶图案的透光图案至少部分边缘重合;
所述透光图案的几何中心点到相邻的遮光图案边缘的距离,与所述遮光图案的几何中心点到相邻的透光图案边缘的距离相等。
可选地,在本申请实施例中,所述透光图案与所述遮光图案相同,所述透光图案和所述遮光图案为正多边形。
可选地,在本申请实施例中,所述透光图案和所述遮光图案为正三角形;
每一行灰阶图案中相邻的透光图案与该相邻的透光图案之间的遮光图案边缘重合;
每一列灰阶图案中的透光图案与遮光图案相互间隔设置,所述透光图案与相邻的遮光图案边缘重合。
可选地,在本实施例中,所述透光图案和所述遮光图案为正三角形;
每一行灰阶图案中相邻的透光图案与该相邻的透光图案之间的遮光图案边缘重合;
任意相邻两行的灰阶图案中,其中一行灰阶图案中的遮光图案的边缘与另一行灰阶图案中的两个透光图案的边缘重合,其中与一个透光图案边缘重合部分的长度不小于边缘长度与所述透光图案的几何中心点到各边缘距离一半的差值,与另一个透光图案边缘重合部分的长度不大于所述透光图案的几何中心点到各边缘距离一半。
可选地,在本申请实施例中,所述透光图案和所述遮光图案为正方形;
每一行灰阶图案中相邻的透光图案与该相邻的透光图案之间的遮光图案边缘重合;
每一列灰阶图案中的透光图案与遮光图案相互间隔设置,相邻的透光图案与该相邻的透光图案之间的遮光图案边缘重合。
可选地,在本申请实施例中,所述透光图案和所述遮光图案为正方形;
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备