[发明专利]光致发光薄膜及其制备方法与应用有效
申请号: | 201811179235.6 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN109054062B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 张孟;周群刚;汪红;王明元;郑然 | 申请(专利权)人: | 嘉兴纳鼎光电科技有限公司;苏州市中心血站 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L33/12;C08L27/16;C08L75/04;C08K3/22;C08K3/36;C08K3/30;C08K3/32;C09K11/88;C09K11/66;C09K11/67;G01N21/63 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 314000 浙江省嘉兴市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光致发光 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种光致发光薄膜的制备方法,其特征在于包括:使两种以上不同稳态的量子点与光引发剂、光散射粒子及树脂混合,并在避光条件下固化,制得光致发光薄膜;
所述量子点选自II-VI族量子点、III-V族量子点、IV-VI族量子点或钙钛矿量子点;
所述量子点、光引发剂、光散射粒子和树脂的质量比为2-5:2-5:5-10:80-90;
所述光引发剂选自苯偶姻或其衍生物、苯偶酰或其衍生物、α-羟基酮衍生物、α-胺基酮衍生物、酰基膦氧化物和钛茂中的任意一种或两种以上的组合;
所述光散射粒子选自纳米SiO2、纳米TiO2、纳米ZrO2、纳米Al2O3、纳米Fe3O4、纳米ZnO2、纳米AlN、纳米Si3N4和纳米TiN中的任意一种或两种以上的组合。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述II-VI族量子点包括CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe或CdZnSeSTe。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述III-V族量子点包括InP、InAs或InAsP。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述IV-VI族量子点包括PbS、PbSe、PbTe、PbSeS、PbSeTe或PbSTe。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述树脂包括PMMA、PVDF、PU或PET树脂。
6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于具体包括:使两种不同稳态的量子点、光引发剂、光散射粒子、树脂及溶剂混合,在1000-2000rmp转速下混合30-60min,真空除去部分溶剂,得到胶液,使所述胶液在惰性气体氛围下涂布形成厚度为15-40μm的均匀薄膜,之后在500-2000pa、25-50℃下除去剩余溶剂,制得光致发光薄膜。
7.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述光致发光薄膜的厚度为10-30μm。
8.由权利要求1~7中任一项所述的方法制备的光致发光薄膜。
9.一种量化光致变色测试带的制备方法,其特征在于包括:将光源在不同强度和/或不同距离下照射光致发光薄膜,使所述光致发光薄膜缓慢变色,获得量化光致变色测试带,所述光致发光薄膜为权利要求8所述的光致发光薄膜。
10.由权利要求9所述的方法制备的量化光致变色测试带。
11.权利要求8所述的光致发光薄膜或权利要求10所述的量化光致变色测试带于光照能量量化指示的用途。
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