[发明专利]用于0V电池充电的逻辑控制电路、电池保护芯片和电路在审
| 申请号: | 201811178661.8 | 申请日: | 2018-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN109066923A | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
| 发明(设计)人: | 赵少峰;邵清 | 申请(专利权)人: | 安徽省东科半导体无锡有限公司 |
| 主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
| 代理公司: | 北京慧诚智道知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11539 | 代理人: | 李楠 |
| 地址: | 214135 江苏省无锡市新吴区菱*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电位 充电控制 电位平移 逻辑控制电路 保护模块 锁定 耐压 电池保护芯片 电池充电 低电平 晶体管 充电器 电路 电池保护电路 输入信号转变 栅极控制端子 充放电检测 信号输入端 电池接入 电位固定 输出信号 输入端子 输出端 导通 关断 电源 | ||
本发明实施例涉及一种用于0V电池充电的逻辑控制电路、电池保护芯片和电路,该逻辑控制电路包括:耐压保护模块、充电控制电位锁定和电位平移模块;通过耐压保护模块将充放电检测信号输入端CS的电位提高到所需电位,通过耐压保护模块输出端CS1提供给充电控制电位锁定和电位平移模块;充电控制电位锁定和电位平移模块中的充电控制电位锁定模块在0V电池接入充电器后,将电池保护电路中的充电控制用晶体管的栅极控制端子OC的电位固定在电源正输入端子VDD的电位;电位平移模块将高/低电平为VDD/0V的输入信号转变成高/低电平为VDD/CS1的输出信号,用以控制充电控制用晶体管的导通和关断。
技术领域
本发明涉及电池充电技术领域,尤其涉及一种用于0V电池充电的逻辑控制电路、电池保护芯片和电路。
背景技术
在锂电池保护等应用领域如何实现0V充电功能已成为当前设计的关键之一。0V充电是指在锂电池许可的情况下对已经自放电到0V的电池进行再充电。业内对于0V充电的技术进行了大量的研究,目前提出的实现方法包括如下两种:一是利用耗尽型器件和厚栅氧器件来实现,二是利用厚栅氧器件来实现。
图1为利用耗尽型器件和厚栅氧器件实现0V充电的一个电路示意图。
图中N1为耗尽型器件,其中VDD为电源正输入端,CS为充放电电流检测端,COUT为内部充电控制信号,OC为充电控制用晶体管(FET)的栅极控制端,电路中的各金属氧化物半导体场效应(MOS)管均为厚栅氧器件。电池由于自身放电到0V且未接入充电器时,有VDD=0V,COUT=0V,CS=0V,此时P1截止,由于N1是耗尽型器件且栅源相连,故N1导通并处于线性区,该支路中无电流存在,P2和N2的栅极电位等于CS电位,而此时CS电位和VDD电位相同均为0电位,故N2和P2均截止,同样,P3、N3、P4、N4同样处于截止状态,输出端OC为零电位。接入充电器后,由于充电器的作用,CS电位变为负电位,其大小与充电器起始电压有关,充电器起始电压越大,CS的电位越负,当充电器的起始电压大于某个值(V0CH),CS的电位亦低到能够使得P2开始导通,此时N2处于截止,P3和N3的栅极电位等于VDD的电位,N3导通、P3截止,P4和N4的栅极电位均等于CS的电位,P4导通、N4截止,输出端OC电位等于VDD电位。即在由于自身放电到0V的锂电池接入充电器后,充电控制用FET的门极电压被固定在VDD的端子电压,而充电控制用FET的源端即为CS,利用OC和CS之间的压差将充电控制用FET开启,形成充电回路,开始对0V电池进行充电;这就是0V充电实现原理。简言之,实现0V充电功能就是0V电池在接入充电器后能保证充电控制用FET的门极电压被固定在VDD端子电压,利用充电器控制用FET的门极与源极间压差将充电器控制用FET导通,实现充电。
这种实现方式的缺点在于:N1是耗尽型NMOS器件,而P2、N3、P4器件的栅源需要耐高压但其开启电压又不能太大,因为如果开启电压太大的话,那就要求充电器起始电压V0CH很大,与实际应用不符;很多工艺不能同时满足这两个条件,那么这个电路的适用性就不理想了。
图2为利用厚栅氧器件实现0V充电的一个电路示意图。同样的,电池由于自身放电到0V,在未接入充电器时,有VDD=0、COUT=0、CS=0,此时P5处于截止状态,N5同样处于截止状态;当接入充电器后,由于充电器的作用,CS电位变为负电位,其大小与充电器起始电压有关,充电器起始电压越大,接入充电器后CS的电位越负,当充电器的起始电压大于某个值(V0CH)时,CS的电位亦低到能够使N5的栅源压差大于器件的开启电压,N5导通,此时P5仍然处于截止;P6和N6的栅极电位等于CS的电位,N6截止,P6处于导通,输出端OC电位等于VDD电位,即0V电池在接入充电器后,充电控制用FET的门极电压被固定在VDD端子电压,而充电控制用FET的源端电位为CS,利用OC和CS之间压差将充电控制用的FET的导通,实现对0V电池进行充电。
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