[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号: | 201811178557.9 | 申请日: | 2018-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN109300927A | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
| 发明(设计)人: | 周艮梅;金子貴昭;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 武振华;吴敏 |
| 地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 滤光颜色 光吸收 滤光器 衬底 薄膜 半导体 像素器件 透光率 光线波长 灵敏度 光电子 | ||
1.一种图像传感器,其特征在于,包括:
半导体衬底;
多个像素器件,位于所述半导体衬底内;
多个具有不同滤光颜色的滤光器,设置于所述半导体衬底的表面;
其中,每个滤光器与位于其下的像素器件之间设置有光吸收薄膜,且具有不同滤光颜色的滤光器下方的光吸收薄膜具有不同的透光率,所述滤光颜色的光线波长越长,所述光吸收薄膜的透光率越低。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述多个具有不同滤光颜色的滤光器包括绿色滤光器、红色滤光器以及蓝色滤光器,
具有不同滤光颜色的滤光器下方的光吸收薄膜的材料相同,且所述红色滤光器下方的光吸收薄膜的厚度大于所述绿色滤光器下方的光吸收薄膜的厚度,所述绿色滤光器下方的光吸收薄膜的厚度大于所述蓝色滤光器下方的光吸收薄膜的厚度。
3.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,所述多个具有不同滤光颜色的滤光器包括绿色滤光器、红色滤光器以及蓝色滤光器,
具有不同滤光颜色的滤光器下方的光吸收薄膜的厚度相同,且所述红色滤光器下方的光吸收薄膜的材料的带隙宽度小于所述绿色滤光器下方的光吸收薄膜的材料的带隙宽度,所述绿色滤光器下方的光吸收薄膜的材料的带隙宽度小于所述蓝色滤光器下方的光吸收薄膜的材料的带隙宽度。
4.根据权利要求1至3任一项所述的图像传感器,其特征在于,所述光吸收薄膜的材料选自:SiGe、GaAs、PbS、PbSe、PbTe、GaSb以及InN。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其特征在于,还包括:
填充层,所述填充层覆盖所述光吸收薄膜的一部分,并暴露出至少一种滤光颜色的滤光器下方的光吸收薄膜;
其中,所述填充层的表面与所述半导体衬底的表面齐平。
6.根据权利要求5所述的图像传感器,其特征在于,所述填充层的材料选自:氧化硅、氮化硅、无定形碳以及无定形硅。
7.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:
提供半导体衬底,所述半导体衬底内具有像素器件;
在所述半导体衬底的表面,形成多个具有不同滤光颜色的滤光器;
其中,每个滤光器与位于其下的像素器件之间设置有光吸收薄膜,且具有不同滤光颜色的滤光器下方的光吸收薄膜具有不同的透光率,所述滤光颜色的光线波长越长,所述光吸收薄膜的透光率越低。
8.根据权利要求7所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,在所述形成多个具有不同滤光颜色的滤光器之前,还包括:
在所述半导体衬底的表面形成堆叠的多层填充层;
每形成一层填充层后,刻蚀当前已经形成的多层填充层以形成沟槽,所述沟槽的位置与对应滤光颜色的滤光器的位置相同;
在每次形成所述沟槽后,向所述沟槽内填充与所述滤光颜色对应的光吸收薄膜;
其中,后一层填充层覆盖前一层填充层的表面以及前一层填充层内的光吸收薄膜的表面,且在形成沟槽时,按照滤光颜色的波长从短到长的顺序,依次形成各种滤光颜色的滤光器对应的沟槽。
9.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述多个具有不同滤光颜色的滤光器包括绿色滤光器、红色滤光器以及蓝色滤光器,具有不同滤光颜色的滤光器下方的光吸收薄膜的材料相同,且所述红色滤光器下方的光吸收薄膜的厚度大于所述绿色滤光器下方的光吸收薄膜的厚度,所述绿色滤光器下方的光吸收薄膜的厚度大于所述蓝色滤光器下方的光吸收薄膜的厚度。
10.根据权利要求7所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述形成多个具有不同滤光颜色的滤光器之前,还包括:
形成覆盖所述半导体衬底的填充层;
多次刻蚀所述填充层以形成沟槽,每次刻蚀形成的沟槽的位置与对应滤光颜色的滤光器的位置相同;
在每次形成所述沟槽后,向所述沟槽内填充与所述滤光颜色对应的光吸收薄膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811178557.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示面板及其制作方法
- 下一篇:图像传感器芯片和图像传感器装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





