[发明专利]一种基于柔性电路板的密闭型射频芯片封装工艺

说明书

本发明公开了一种基于柔性线路板的密闭型射频芯片封装工艺，包括如下步骤：101）制作柔性线路板步骤、102）互联焊盘处理步骤、103）盖板处理步骤、104）密封步骤；本发明提供制作系统级封装结构成本低，集成度高，减少了射频芯片工作时的相互干扰的一种基于柔性线路板的密闭型射频芯片封装工艺。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体的说，它涉及一种基于柔性电路板的密闭型射频芯片封装工艺。

背景技术

电子产品的迅猛发展是当今封装技术进化的主要驱动力。小型化、高密度、高频高速、高性能、高可靠性和低成本是先进封装的主流发展方向,系统级封装是最重要也是最有潜力满足这种高密度系统集成的技术之一。

在各种系统级封装中，利用硅转接板做中间层是硅基三维集成射频微系统的核心技术，为芯片到芯片和芯片到基板提供了最短的连接距离，最小的焊盘尺寸和中心间距。与其他互连技术如引线键合技术相比，硅转接板技术的优点包括：更好的电学性能、更高的带宽、更高的密度、更小的尺寸、更轻的重量。

但是硅转接板工艺需要用到TSV技术，中间涉及到的工艺包括光刻，干法刻蚀，PVD，CVD以及电镀等复杂步骤，成本和技术难度都比较高，不适合民用领域产品的大量普及。

发明内容

本发明克服了现有技术的不足，提供制作系统级封装结构成本低，集成度高，减少了射频芯片工作时的相互干扰的一种基于柔性电路板的密闭型射频芯片封装工艺。

本发明的技术方案如下：

一种基于柔性电路板的密闭型射频芯片封装工艺，具体处理包括如下步骤：

101）制作柔性电路板步骤：在第一层有机膜表面覆盖第一层铜膜，通过光刻、湿法刻蚀工艺做出第一层通讯线，然后用第二层有机膜覆盖第一层通讯线，并通过钻孔工艺露出第一层通讯线的焊盘；在第二层有机膜表面再重新覆盖第二层铜膜，制作第二通讯线，用第三层有机膜覆盖第二层通讯线，并钻孔露出第二层通讯线的焊盘，形成柔性电路板；

第一层有机膜、第二层有机膜和第三层有机膜都采用聚四氟乙烯塑料、环氧树脂或聚氨酯，其厚度在100nm到1000um之间；第一层通讯线、第二层通讯线的材料采用铜、镍、铝、金或银，其厚度在100nm到1000um之间，宽度在100nm到1000um之间；

通过光刻、干法刻蚀或者激光钻孔的工艺在柔性电路板表面制作互联孔，形成互联焊盘，互联孔直径为10um到1000um；

102）互联焊盘处理步骤：通过光刻电镀工艺在互联焊盘上制作bumping，把柔性电路板通过胶黏的形式固定在载板上；bumping采用铜、镍、铝、金或银，柔性电路板通过胶黏在载板上，胶为热熔型胶或光敏性胶；

103）盖板处理步骤：在盖板表面制作凹槽，凹槽内壁覆盖金属层，然后在凹槽的一面刻蚀沟槽；

通过光刻、干法刻蚀工艺在盖板表面制作凹槽，凹槽采用立方形、倒梯形、圆柱形或者半球形，凹槽尺寸范围在10um到10000um之间，凹槽深度范围在10um到600um，其中范围值包括立方形，倒梯形的长宽高或者圆柱形，半球形的直径或高度；

通过光刻电镀工艺在空腔内壁覆盖金属层，金属层采用铜、铝、镍、银、金、锡中的一种或多种，金属层本身结构采用一层或多层，金属层厚度范围为10nm到1000um，通过表面CMP工艺把盖板表面金属去除只剩下空腔内壁覆盖的金属层；

通过光刻和干法刻蚀工艺在盖板凹槽外侧刻蚀出沟槽，沟槽采用立方形、倒梯形、圆柱形或者半球形，其尺寸范围在10um到10000um之间，沟槽深度范围在10um到600um，其中范围值包括立方形、倒梯形的长宽高或者圆柱形、半球形的直径、高度；