[发明专利]一种IGBT封装模块及其连接桥有效
| 申请号： | 201811175368.6 | 申请日： | 2018-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN108831865B | 公开（公告）日： | 2019-02-05 |
| 发明（设计）人： | 许海东;谌容 | 申请（专利权）人： | 常州江苏大学工程技术研究院;南京晟芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/492;H01L25/07 |
| 代理公司： | 常州市权航专利代理有限公司 32280 | 代理人： | 印苏华 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 连接片 第二连接部 第一连接部 上端面 锡点 加强连接片 电极焊接 散热金属 连接桥 下端面 焊接 穿过 散热能力 牢固度 散热板 桥状 贯穿 | ||
1.一种IGBT封装模块，其特征在于，包括：封装壳体，固定在所述封装壳体内的散热板，背部焊接在所述散热板上的芯片结构，与所述芯片结构电性连接的信号端子，焊接在所述散热板上并伸出所述封装壳体的上端面的端子，以及
所述信号端子的上端伸出所述封装壳体的上端面；
所述芯片结构通过连接桥与所述散热板电性连接；
散热金属制成的呈桥状的连接片，所述连接片的两端分别具有一个第一连接部和第二连接部，其中
所述第一连接部适于与电极焊接固定，以使锡点从所述连接片的上端面穿过所述连接片至所述连接片的下端面；
所述第二连接部适于与电极焊接固定，以使锡点从所述连接片的上端面穿过所述连接片至所述连接片的下端面；
所述第一连接部与所述第二连接部的底面之间具有与芯片厚度适配的高度差；
所述第一连接部为贯穿所述连接片的通孔；
所述第二连接部为开设在所述连接片的端部的U型开口；以及
所述U型开口方向为所述连接片的端部方向；
所述连接片的材料为铜；
所述连接桥的个数为三个，并且三个所述连接桥与所述芯片结构的表面的焊接位分别位于所述芯片表面上的左下方，上方和右下方。
2.如权利要求1所述的IGBT封装模块，其特征在于，所述芯片结构包括IGBT模块和FWD模块；以及
所述IGBT模块的背部与所述散热板的集电极电性连接；所述IGBT模块通过所述连接桥与所述散热板的发射极电性连接；
所述FWD模块的背部与所述散热板的集电极电性连接；所述FWD模块通过所述连接桥与所述散热板的发射极电性连接；
所述信号端子与所述IGBT模块的栅极电性连接。
3.如权利要求2所述的IGBT封装模块，其特征在于，所述散热板为陶瓷散热基板。
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