[发明专利]显示面板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可降低发光器件的电极电阻，同时有助于实现ITD显示面板的超薄化。该显示面板包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上方的发光器件层；设置在所述发光器件层远离所述衬底基板一侧的触控结构层；所述发光器件层包括多个发光器件，所述发光器件包括：依次远离所述衬底基板设置的第一电极、发光功能层和第二电极；所述触控结构层包括：多个第三电极；多个所述第三电极中的至少一个所述第三电极与所述第二电极相接触。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置相对于液晶显示装置具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点，被认为是下一代显示技术。根据发光方向的不同，可以将OLED显示装置中的自发光元件即OLED器件分为底发射型(或称为底发光型，即相对于基板向下发光)和顶发射型(或称为顶发光型，即相对于基板向上发光)两种类型。

传统技术中OLED器件通常采用底发射型，其中的发光层发出的光从下方的阳极一侧射出，光线未从位于发光层上方的阴极一侧射出，因此，阴极的厚度无需制备地较薄，不存在由于阴极厚度过小而导致阴极电阻较大，进而产生电压降(IR Drop，即电阻两端的电位差)的问题。

然而，由于具有底发射型OLED器件的OLED显示装置的开口率受到TFT(Thin FilmTransistor，薄膜晶体管)等不透光结构的限制，使得发射型OLED显示装置难以实现高分辨率的显示要求，因此，现有技术多采用具有顶发射型OLED器件的OLED显示装置。但是，顶发射型OLED器件由于光线需从阴极一侧射出，因此，阴极的厚度需要制备地较薄，导致阴极电阻过大产生电压降。

此外，在触控显示一体化(Integrated-touch-driver，缩写为ITD)技术中，由于OLED显示装置中还需设置触控电极，难以进一步实现ITD显示装置的超薄化。

发明内容

鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，可降低发光器件的电极电阻，同时有助于实现ITD显示面板的超薄化。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例一方面提供一种显示面板，包括：衬底基板；设置在所述衬底基板上方的发光器件层；设置在所述发光器件层远离所述衬底基板一侧的触控结构层；其中，所述发光器件层包括多个发光器件，所述发光器件包括：依次远离所述衬底基板设置的第一电极、发光功能层和第二电极；所述触控结构层包括：多个第三电极；多个所述第三电极中的至少一个所述第三电极与所述第二电极相接触。

在本发明一些实施例中，所述第三电极采用石墨烯、氧化铟锡、氧化铟锌、氟掺杂二氧化锡中的至少一种材料制成。

在本发明一些实施例中，所述触控结构层还包括：设置在多个所述第三电极远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层。

在本发明一些实施例中，所述第一绝缘层采用聚四氟乙烯、氟代聚乙烯、聚酰亚胺中的至少一种材料制成。

在本发明一些实施例中，所述触控结构层还包括：设置在所述第一绝缘层远离多个所述第三电极一侧的多个第四电极；其中，多个所述第三电极间隔设置，多个所述第四电极间隔设置，所述第三电极在所述衬底基板上的正投影与所述第四电极在所述衬底基板上的正投影交叉；所述第三电极与所述第四电极互为触控驱动电极和触控感应电极。

在本发明一些实施例中，所述第四电极采用石墨电极材料或纳米银掺杂的石墨电极材料制成。

在本发明一些实施例中，所述触控结构层还包括：设置在所述第一绝缘层远离多个所述第三电极一侧的多个第二绝缘块；其中，每个所述第二绝缘块与所述第一绝缘层之间均至少设置有一个所述第四电极。