[发明专利]存储设备及其动态无用单元收集方法在审
| 申请号: | 201811173830.9 | 申请日: | 2018-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN109712659A | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
| 发明(设计)人: | 丁相元;宋永弼;李注英;安峻乎;李范熙;曹成铉;黄仁珆 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/26 |
| 代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 无用单元 最小操作 参考 存储设备 有效页 按下 | ||
提供了一种存储设备及其动态无用单元收集方法。所述方法包括:接收最小操作速度;使用最大操作速度、所述最小操作速度和无用单元收集速度,定出参考有效页计数(VPC)比率,所述参考VPC比率是按下式1定出的;以及使用所述参考VPC比率和当前平均VPC比率,确定是否执行无用单元收集。Cp=Gp×(Jp‑Mp)/(Jp×Mp+(Gp×(Jp‑Mp)))(式1)其中,Cp是所述参考VPC比率,Gp是所述无用单元收集速度,Jp是所述最大操作速度,Mp是所述最小操作速度。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年10月25日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0139344的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明涉及一种存储设备及其动态无用单元收集方法。
背景技术
半导体存储设备包括易失性存储设备和非易失性存储设备。易失性存储设备的读写速度很快。然而,同时,当断开电源时,易失性存储设备可能丢失所存储的内容。相比之下,由于非易失性存储设备即使在断开电源时也能保持所存储的内容,因此使用非易失性存储设备来存储无论是否供电都需要保持的内容。
例如,易失性存储设备包括静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。即使在断开电源时,非易失性存储设备也能保持所存储的内容。例如,非易失性存储设备可以是ROM(只读存储器)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、阻变RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪存可以分为NOR型闪存和NAND型闪存。
特别地,与普通EEPROM相比,闪存设备具有能够被提供为高度集成的辅助大容量存储设备等的优点。
使用闪存生产各种存储系统。存储系统通过协议可以将数据存储在闪存中或者可以从闪存中读取数据。
与包括磁盘驱动器的存储设备相比,使用闪存作为存储介质的存储设备被认为具有延长的使用寿命、更少的功耗和更好的存取时间。
这种闪存可以执行无用单元收集操作,以便获得空闲存储单元块来存储数据。根据无用单元收集的执行定时,闪存的性能可能在无用单元收集期间突然下降。因此,需要一种控制这种性能突然下降的方式。
发明内容
一方面提供了一种通过动态地控制无用单元收集的执行定时来确保最低性能的存储设备。
本发明的另一方面提供了一种存储设备的动态无用单元收集方法,其中通过动态地控制无用单元收集的执行定时来确保最低性能。
然而,各方面不限于本文所阐述的方面。通过参考下面给出的详细描述,上述和其他各方面对于本发明所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。
根据本发明构思的一方面,提供了一种存储设备的动态无用单元收集方法。所述方法包括:接收所述存储设备的最小操作速度;使用所述存储设备的最大操作速度、所述存储设备的所述最小操作速度和所述存储设备的无用单元收集速度,定出所述存储设备的参考有效页计数(VPC)比率,所述参考VPC比率是按第一式定出的;基于所述参考VPC比率和所述存储设备的当前平均VPC比率,确定是否对所述存储设备执行无用单元收集操作;以及当确定出执行所述无用单元收集操作时,对所述存储设备执行所述无用单元收集操作,其中,所述第一式为:Cp=Gp×(Jp-Mp)/(Jp×Mp+(Gp×(Jp-Mp))),其中,Cp是所述参考VPC比率,Gp是所述无用单元收集速度,Jp是所述最大操作速度,Mp是所述最小操作速度。
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