[发明专利]一种超辐射发光二极管的组装方法有效

专利信息
申请号: 201811173481.0 申请日: 2018-10-09
公开(公告)号: CN109301052B 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 李楼;黄昀昀;尚一梅;屈燕玲 申请(专利权)人: 西安中科华芯测控有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64
代理公司: 61200 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 徐文权
地址: 710119 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 双向制冷器件 超辐射发光二极管 上表面 热沉 光纤 加热盘 管壳 管嘴 组装 烙铁 光纤金属 焊接固定 芯片焊接 支架固定 直流电压 耦合 下表面 管脚 焊锡 伸入 制热 焊接 制冷 穿插 陶瓷 芯片 制作
【说明书】:

发明公开了一种超辐射发光二极管的组装方法,首先打开加热盘,将双向制冷器件焊接入管壳中;然后将双向制冷器件引线用烙铁将引线焊在相应的管脚上;其次将陶瓷和超辐射发光二极管芯片焊接在热沉上;接着给双向制冷器件反向加直流电压,此时双向制冷器件上表面制热,下表面制冷,双向制冷器件将加热盘上的热量传送到上表面,将热沉焊接到双向制冷器件上表面;最后将光纤穿插在管嘴中,用焊锡将光纤金属部分焊接固定在管嘴中,并将伸入管壳的光纤通过支架固定在热沉上,使光纤的端部与超辐射发光二极管芯片耦合。本发明方法工艺简单,制作简便,便于推广实施。

技术领域

本发明属于有源半导体发光器件技术领域,具体涉及一种超辐射发光二极管的组装方法。

背景技术

半导体超辐射发光二极管是一种基于自发辐射的单程光放大器件,由于其输出功率大、光谱宽、器件长期稳定性好、封装尺寸小、重量轻等特点,被广泛应用于光纤陀螺、光纤传感和短距离光纤通信系统等领域。

对于超辐射光源,在组装时需要对TEC加热,将TEC上下两个表面分别和热沉及管壳底部焊接。在焊接上表面的过程中,下表面的焊料也会熔化,导致TEC位置移动,同时热量通过晶体传输到TEC上表面,热量过大会对晶体产生不可逆的损伤。

发明内容

本发明的目的在于提供一种超辐射发光二极管的组装方法,以解决现有技术存在的问题,本发明采用双向制冷器件,通过给双向制冷器件正向和反向加电,避免上表面和热沉焊接时下表面焊料也熔化,引起双向制冷器件移位,也避免双向制冷器件的半导体结加热时间过长和积蓄热量过大导致半导体结的热损坏。

为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:

一种超辐射发光二极管的组装方法,包括以下步骤:

步骤一:打开加热盘,将加热盘温度设置在145℃,将双向制冷器件放入管壳中,并将管壳置于加热盘上,待双向制冷器件的底部焊料熔化后,调整双向制冷器件至预定位置,取掉加热盘;

步骤二:修剪双向制冷器件的引线,并将引线焊在相应的管脚上,得到双向制冷器件与管壳的一体装置;

步骤三:打开加热盘,将加热盘温度设置在230℃,将陶瓷和超辐射发光二极管芯片以及热沉均放置在加热盘上预热,然后将焊料涂在热沉的上表面,再将陶瓷和超辐射发光二极管芯片放置在热沉上并压平,去掉加热盘,得到陶瓷、超辐射发光二极管芯片和热沉的一体装置;

步骤四:将加热盘温度设置在85℃,将双向制冷器件与管壳的一体装置放在加热盘上,给双向制冷器件反向施压直流电压,将陶瓷、超辐射发光二极管芯片和热沉的一体装置放在双向制冷器件上,此时双向制冷器件上表面制热,下表面制冷,双向制冷器件将加热盘的热量传送至双向制冷器件的上表面,使双向制冷器件的顶部焊料熔化,然后进行双向制冷器件和热沉的焊接,使得超辐射发光二极管芯片正对管嘴;

步骤五:将光纤穿插在管嘴中,并将伸入管壳的光纤通过支架固定在热沉上,使光纤的端部与超辐射发光二极管芯片耦合。

进一步地,陶瓷上还设置有热敏电阻。

进一步地,所述支架为马鞍型光纤支架。

进一步地,马鞍型光纤支架为记忆金属材料。

进一步地,所述光纤为透镜光纤。

进一步地,光纤的端部为锥形球面、楔形柱面或抛物面。

进一步地,光纤的金属部分通过焊锡焊接固定在管嘴中。

进一步地,步骤四中给双向制冷器件反向施压3V的直流电压。

与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:

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