[发明专利]脉冲激光沉积系统及其薄膜制备方法在审

专利信息
申请号: 201811172619.5 申请日: 2018-10-09
公开(公告)号: CN109487219A 公开(公告)日: 2019-03-19
发明(设计)人: 胡凯;代瑞娜;张晓军;陈志强;方安安;姜鹭;潘恒;王岩;王峻岭 申请(专利权)人: 深圳市矩阵多元科技有限公司
主分类号: C23C14/28 分类号: C23C14/28;C23C14/50;C23C14/54
代理公司: 深圳市华优知识产权代理事务所(普通合伙) 44319 代理人: 余薇
地址: 518000 广东省深圳市南山区西*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 薄膜制备 脉冲激光沉积系统 靶材 计算机设备 薄膜参数 参数数据 测试模块 沉积薄膜 厚度测试 加热台 速率和 制备 薄膜 薄膜制造技术 抽真空设备 测试 薄膜沉积 工作效率 模块测试 气氛气体 转盘转动 挡板 激光器 便捷性 真空腔 沉积 优化
【权利要求书】:

1.一种脉冲激光沉积系统,包括激光器、真空腔、基片加热台、抽真空设备和气氛气体通入设备,其特征在于,还包括靶材挡板、厚度测试模块、薄膜参数测试模块和计算机设备,所述靶材挡板设置在所述基片加热台正下方,所述靶材挡板设置有可正对靶材的靶材孔,所述计算机设备用于设置薄膜制备参数并对应控制薄膜制备环境、以及根据所述厚度测试模块测试的薄膜的沉积速率和所述薄膜参数测试模块测试的已沉积薄膜的参数数据调整薄膜的制备参数。

2.根据权利要求1所述的脉冲激光沉积系统,其特征在于,所述基片加热台包括转动驱动机构,用于驱动所述基片加热台绕轴心转动,以切换不同基片正对所述靶材挡板上的靶材孔。

3.根据权利要求1所述的脉冲激光沉积系统,其特征在于,所述基片加热台为环形圆台,多个基片可通过粘贴或安装均匀地固定在所述基片加热台底面上。

4.根据权利要求1所述的脉冲激光沉积系统,其特征在于,所述靶材挡板在远离所述靶材孔一端设置有的测试缺口,所述薄膜参数测试模块设置在所述缺口位置以测试已沉积薄膜的薄膜参数。

5.根据权利要求1所述的脉冲激光沉积系统,其特征在于,所述厚度测试模块为晶振测试模块,所述的薄膜参数测试模块为高能电子衍射模块。

6.根据权利要求5所述的脉冲激光沉积系统,其特征在于,所述晶振测试模块包括晶振单元、连接杆和转轴,所述晶振单元设置在所述连接杆末端并可沿着所述转轴水平转动,以使所述晶振单元移动到薄膜沉积位置。

7.根据权利要求1所述的脉冲激光沉积系统,其特征在于,还包括安装多个靶材的靶材转盘,所述靶材转盘可转动以切换不同靶材正对所述靶材挡板上的靶材孔并被所述激光器的脉冲激光45度入射。

8.根据权利要求1所述的脉冲激光沉积系统,其特征在于,所述靶材挡板可以上下移动以调节所述靶材挡板与所述基片加热台的距离。

9.一种如权利要求1至8任一项所述的脉冲激光沉积系统的薄膜制备方法,其特征在于,包括:

控制计算机设备设置薄膜制备参数,并对应控制薄膜制备环境进行薄膜沉积;

控制厚度测试模块移动到薄膜沉积位置并测试薄膜的沉积速率;

控制薄膜参数测试模块测试的已沉积薄膜的参数数据;以及

控制计算机设备根据所述厚度测试模块测试的薄膜的沉积速率和所述薄膜参数测试模块测试的已沉积薄膜的参数数据调整薄膜的制备参数。

10.根据权利要求9所述的脉冲激光沉积系统的薄膜制备方法,其特征在于,在所述控制薄膜制备环境进行薄膜沉积之后,还包括:当薄膜沉积完成后,控制切换靶材和基片以沉积新的薄膜。

11.根据权利要求9所述的脉冲激光沉积系统的薄膜制备方法,其特征在于,所述控制计算机设备设置薄膜制备参数并对应控制薄膜制备环境进行薄膜沉积,包括:

控制计算机设备设置薄膜制备参数;

将多个基片固定在所述基片加热台上,并安装多个靶材;

控制特定靶材正对靶材挡板的靶材孔;以及

控制激光器产生脉冲激光对所述特定靶材轰击进行薄膜沉积。

12.根据权利要求9所述的脉冲激光沉积系统的薄膜制备方法,其特征在于,所述薄膜制备参数包括薄膜成分、薄膜厚度、沉积温度、沉积气氛气体和真空度。

13.根据权利要求9所述脉冲激光沉积系统的薄膜制备方法,其特征在于,还包括:控制切换靶材以制备包含多种靶材成分的组合材料。

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