[发明专利]存储系统及其操作方法有效
申请号: | 201811169537.5 | 申请日: | 2018-10-08 |
公开(公告)号: | CN109949854B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 权正贤;洪道善;郑承奎;申原圭 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C29/42 | 分类号: | G11C29/42;G11C29/40 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 存储系统 及其 操作方法 | ||
本发明公开了一种存储系统及其操作方法。一种存储系统包括:存储器件,其包括多个存储单元,并适用于:基于页来读取和写入数据与奇偶校验位;以及存储器控制器,其适用于:当基于数据和奇偶校验位而检测到的错误比特位的数量等于或小于第一阈值且大于第二阈值时,基于压缩数据来获取错误掩蔽模式,并且控制将压缩数据、基于反映错误掩蔽模式的压缩数据而被更新的奇偶校验位、关于压缩数据的压缩信息以及关于错误掩蔽模式的模式信息写入到页中。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年12月20日提交的申请号为10-2017-0176215的韩国专利申请的优先权,其公开的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本公开的各种示例性实施例涉及半导体设计技术,并且更具体地,涉及执行错误校正操作的存储系统。
背景技术
以前在半导体存储器件行业中,经由半导体制造工艺制造的存储芯片中具有无缺陷存储单元的多个原始好裸片可以分布在晶片上。然而,随着存储器件的容量增大,制造无任何缺陷的存储单元的存储器件变得更加困难了。更不可能制造出具有无缺陷存储单元的存储器件。为了处理这个问题,存储器件可以包括用于修复有缺陷存储单元的冗余存储单元。
此外,错误校正码(ECC)电路可以用于校正存储单元中出现的一些错误以及在存储系统的读取操作和写入操作期间传送的数据中出现的其他错误。
发明内容
本公开的各种实施例针对一种存储系统,其可以通过获取用于在对出现错误比特位的页的数据进行压缩之后剩余的空间的错误比特位的错误掩蔽模式(error maskpattern)来掩蔽多个错误比特位。
根据本发明的一个实施例,一种存储系统包括:存储器件,其包括多个存储单元,并适用于:基于页来读取和写入数据与奇偶校验位;以及存储器控制器,其适用于:当基于所述数据和所述奇偶校验位而检测到的错误比特位的数量等于或小于第一阈值且大于第二阈值时,基于压缩数据来获取错误掩蔽模式,并且控制将所述压缩数据、基于反映所述错误掩蔽模式的所述压缩数据而被更新的所述奇偶校验位、关于所述压缩数据的压缩信息以及关于所述错误掩蔽模式的模式信息写入到所述页中。
根据本发明的一个实施例,一种存储系统的操作方法包括:基于从特定页读出的数据和奇偶校验位来检测并校正一定量的错误比特位;当所述错误比特位的数量等于或小于第一阈值且大于第二阈值时,对错误已被校正的数据进行压缩以产生压缩数据;基于所述压缩数据来获取错误掩蔽模式;更新与反映所述错误掩蔽模式的所述压缩数据相对应的所述奇偶校验位;以及将所述压缩数据、已更新的奇偶校验位、关于所述压缩数据的压缩信息以及关于错误掩蔽模式的模式信息写入到所述页中。
根据本发明的一个实施例,一种存储系统的操作方法,包括:检查存储器件中有多少可写入页;当可写入页的数量在特定阈值以内时,对写入数据进行压缩以产生压缩数据;基于所述压缩数据来获取错误掩蔽模式;产生与反映所述错误掩蔽模式的所述压缩数据相对应的奇偶校验位;以及将所述压缩数据、所述奇偶校验位、关于所述压缩数据的压缩信息以及关于所述错误掩蔽模式的模式信息写入到特定页中。
附图说明
图1是示出包括根据本公开的一个实施例的存储系统的数据处理系统的框图。
图2A和图2B是用于描述根据本公开的一个实施例的页的配置的示图。
图3是示出图1所示的存储系统的操作的流程图。
图4是示出根据本公开的一个实施例的存储系统的框图。
图5A和图5B是用于描述图4所示的页的配置的示图。
图6是示出图4所示的模式获取单元的操作的示图。
图7是示出图4所示的存储系统的读取操作的流程图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811169537.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。