[发明专利]一种显示面板及其制作方法有效
| 申请号: | 201811169412.2 | 申请日: | 2018-10-08 |
| 公开(公告)号: | CN109300926B | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
| 发明(设计)人: | 卓恩宗;杨凤云 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 44242 深圳市精英专利事务所 | 代理人: | 林燕云 |
| 地址: | 518108 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光阻层 光罩 显示面板 第二区域 第一区域 半色调 穿透率 通孔 制程 光电二极管阵列 基板中间区域 制作工艺 分割 去除 制作 融合 节约 | ||
1.一种显示面板制作方法,其特征在于,包括:
提供一层基板,在所述基板上形成栅极;
在所述栅极上依次覆盖栅极绝缘层、半导体层、接触层、第二金属层、光电二极管层,并在所述光电二极管层表面覆盖光阻层;
通过多穿透率的半色调光罩在所述光阻层上形成位于所述栅极正上方的凹槽和位于所述基板中间区域上方的第一通孔,并去除光阻层的边缘部分,通过所述第一通孔将光阻层分割成在所述栅极一侧的第一区域和另一侧的第二区域;
对未被所述光阻层覆盖的区域进行蚀刻至暴露出所述栅极绝缘层;
导通所述凹槽部位形成暴露所述光电二极管层的第二通孔;
对所述第二通孔处进行蚀刻直至暴露出所述半导体层,以形成通过所述接触层与半导体层相接触的源极和漏极;
去除所述第一区域剩余的光阻层以及所述第一区域的所述光电二极管层;
去除所述第二区域的所述光阻层,并在所述基板上方裸露的表面覆盖钝化层;
在所述钝化层表面形成对应所述漏极的第一电极过孔和对应所述光电二极管层的第二电极过孔;
在所述第一电极过孔和所述第二电极过孔处形成像素电极。
2.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述提供一层基板,在所述基板上形成栅极包括:
在所述基板上覆盖第一金属层,通过第一道光罩对所述第一金属层进行蚀刻以形成栅极。
3.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述导通所述凹槽部位形成暴露所述光电二极管层的第二通孔包括:
通过所述多穿透率的半色调光罩对第一区域表面的所述光阻层进行处理,让所述凹槽部位导通以形成暴露出所述光电二极管层的第二通孔。
4.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述在所述钝化层表面形成对应所述漏极的第一电极过孔和对应所述光电二极管层的第二电极过孔包括:
通过第三道光罩对所述钝化层的预定位置进行蚀刻,直至暴露出所述漏极和所述光电二极管层,以形成外部通向所述漏极和所述光电二极管层的通孔。
5.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述在所述第一电极过孔和所述第二电极过孔处形成像素电极包括:
在所述钝化层表面覆盖透明电极层,所述透明电极层穿过所述第一电极过孔和所述第二电极过孔分别与所述漏极和所述光电二极管层接触,通过第四次光罩在所述透明电极层上蚀刻形成像素电极。
6.根据权利要求1所述的显示面板制作方法,其特征在于,所述多穿透率的半色调光罩在不同穿透率的每段区域相连处,穿透率成线性变化。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





