[发明专利]半导体结构以及制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一绝缘基板；

一工程化层，环绕所述绝缘基板；

一半导体层，形成于所述工程化层的上方，包括一第一区域以及一第二区域；

一绝缘结构，形成于所述半导体层之中且位于所述第一区域以及所述第二区域之间；

一第一栅极结构，形成于所述半导体层的上方且位于所述第一区域；

一第一源极区域以及一第一漏极区域，形成于所述半导体层中且位于所述第一区域，其中所述第一源极区域以及所述第一漏极区域位于所述第一栅极结构的两侧；

一第二栅极结构，形成于所述半导体层的上方且位于所述第二区域；以及

一第二源极区域以及一第一漏极区域，形成于所述半导体层的上方且位于所述第二区域，其中所述第二源极区域以及第二漏极区域位于所述第二栅极结构的两侧。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘基板包括氮化铝陶瓷、陶瓷多晶碳化硅、多晶金刚石或其组合。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘基板包括一上表面以及一下表面，其中所述工程化层包括：

一第一氧化层，环绕所述绝缘基板；

一多晶硅层，环绕所述第一氧化层；

一第二氧化层，环绕所述多晶硅层；

一氮化层，环绕所述第二氧化层；以及

一第三氧化层，环绕所述氮化层。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氧化层、所述多晶硅层、所述第二氧化层、所述氮化层以及所述第三氧化层皆环绕所述绝缘基板，其中所述半导体层形成于所述第三氧化层的上方。

5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘结构更形成于所述第一氧化层、所述多晶硅层、所述第二氧化层、所述氮化层以及所述第三氧化层之中。

6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氧化层、所述氮化层以及所述第三氧化层皆环绕所述绝缘基板，其中所述第二氧化层环绕除了所述上表面以外的所述绝缘基板，其中所述多晶硅层位于所述第一氧化层的下方。

7.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氧化层以及所述第二氧化层环绕除了所述上表面的所述绝缘基板，其中所述多晶硅层位于所述第一氧化层的下方，其中所述氮化层以及所述第三氧化层环绕所述绝缘基板。

8.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氧化层、所述第二氧化层以及所述第三氧化层的厚度为0.1微米至4微米之间，其中所述第一氧化层用以平坦化所述绝缘基板，其中所述第二氧化层作为粘着剂，其中所述第三氧化层用以平坦化所述氮化层。

9.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述氮化层的厚度为0.1微米至0.5微米之间，其中所述氮化层用以阻隔之用。

10.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述多晶硅层为N型掺杂。

11.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述多晶硅层为P型掺杂。

12.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述多晶硅层为未掺杂。

13.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述多晶硅层用以利用静电电荷来固定所述半导体结构，其中所述多晶硅层的厚度为0.2微米至1.5微米之间。