[发明专利]瞬态电压抑制器及其制作方法

权利要求书

1.一种瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供第一导电类型的衬底，从所述衬底的上表面刻蚀所述衬底并在所述衬底内形成正向沟槽；

S2：在所述正向沟槽内填充介质层；

S3：在所述衬底的上表面和下表面及所述衬底的侧表面的边缘铺设光刻胶层，同时预留所述侧表面的中间区域并形成侧向窗口，从所述侧向窗口刻蚀所述衬底并在所述衬底内形成延伸至所述介质层的侧向沟槽；

S4：在所述侧向沟槽内填充第二导电类型的外延层；

S5：在所述衬底的下表面和上表面分别覆盖第一金属层和第二金属层。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，S3中形成所述光刻胶层的过程包括：在所述衬底的上表面涂覆光刻胶，之后低速匀胶、静置、固胶，再在所述衬底的下表面涂覆光刻胶，之后低速匀胶、静置、固胶。

3.根据权利要求2所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，所述低速匀胶的时间为60s，所述静置的时间为10min以上。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，S3中采用湿法刻蚀形成所述侧向沟槽。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，S1中形成所述正向沟槽的具体步骤包括：在所述衬底的上表面铺设第一光刻胶层；曝光、显影，形成贯穿所述第一光刻胶层的正向窗口；通过所述正向窗口刻蚀所述衬底并形成所述正向沟槽。

6.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀形成所述正向沟槽。

7.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器的制作方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅层。

8.一种瞬态电压抑制器，其特征在于，其包括：

第一导电类型的衬底；

位于所述衬底内且开口位于所述衬底的上表面的正向沟槽；

位于所述正向沟槽内的介质层；

位于所述衬底内且开口位于所述衬底的侧表面的侧向沟槽，所述侧向沟槽的底部连接所述介质层；

位于所述侧向沟槽内的第二导电类型的外延层；

位于所述衬底的下表面的第一金属层；

位于所述衬底的上表面的第二金属层。

9.根据权利要求8所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述侧向沟槽包括分别位于所述介质层两侧的第一侧向沟槽和第二侧向沟槽。

10.根据权利要求9所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述外延层包括分别位于所述第一侧向沟槽内的第一外延层和位于所述第二侧向沟槽内的第二外延层。