[发明专利]薄膜晶体管基板的制作方法及其薄膜晶体管基板

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管基板的制作方法，包括：在基板上形成第一金属层；对所述第一金属层进行刻蚀，以形成栅极；在所述基板上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成半导体层；在所述半导体层和所述栅极绝缘层上形成第二金属层；对所述第二金属层进行刻蚀，以形成源极、漏极以及像素电极；其中，所述第二金属层由透明导电材料制成。有益效果：将第二金属层采用透明导电金属形成，从而可直接延伸漏极电极作为像素电极，将源极、漏极和像素电极通过同一道刻蚀工艺形成，从而减少制程工序，降低生产成本、制程时间及复杂度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管基板的制作方法及其薄膜晶体管基板。

背景技术

液晶显示面板由薄膜晶体管阵列基板、彩膜基板以及设置于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层构成，而现有技术中，在薄膜晶体管阵列基板制作中，需要通过多道制程(例如四道制程)，而需要的制程越多，会导致薄膜晶体管阵列基板的生产成本越高，增加制程时间及复杂度。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管基板的制作方法，以解决现有的薄膜晶体管基板的制作方法，所需要的制程较多，导致薄膜晶体管基板的生产成本较高的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

一种薄膜晶体管基板的制作方法，包括：

S10、在基板上形成第一金属层；

S20、对所述第一金属层进行刻蚀，以形成栅极；

S30、在所述基板上形成覆盖所述栅极的栅极绝缘层；

S40、在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

S50、在所述半导体层和所述栅极绝缘层上形成第二金属层；

S60、对所述第二金属层进行刻蚀，以形成源极、漏极以及像素电极；

其中，所述第二金属层由透明导电材料制成。

优选的，所述薄膜晶体管基板的制作方法还包括：

S70、在所述栅极绝缘层上形成覆盖所述源极和所述漏极的钝化层。

优选的，所述钝化层覆盖所述像素电极，所述薄膜晶体管基板的制作方法还包括：

S80、在所述钝化层上形成通孔以露出所述像素电极。

优选的，所述第二金属层的厚度大于或等于所述钝化层厚度的一半。

优选的，所述透明导电材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟锡锌。

本发明还提供一种薄膜晶体管基板的制作方法，包括：

基板；

设置在所述基板上的栅极；

设置在所述基板上且覆盖所述栅极的栅极绝缘层；

设置在所述栅极绝缘层上的半导体层；

设置在所述栅极绝缘层上的第二金属层，所述第二金属层包括源极、漏极以及像素电极；

其中，所述源极、漏极以及所述像素电极均采用透明导电材料制成。

优选的，所述薄膜晶体管基板还包括设置在所述栅极绝缘层上且覆盖所述源极和所述漏极的钝化层。

优选的，所述钝化层上设置有露出所述像素电极的通孔。

优选的，所述第二金属层的厚度大于或等于所述钝化层厚度的一半。

优选的，所述透明导电材料为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟锡锌。