[发明专利]存储设备管理方法、装置及可读存储介质有效
| 申请号: | 201811165301.4 | 申请日: | 2018-09-30 |
| 公开(公告)号: | CN109343800B | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
| 发明(设计)人: | 王浩;吴大畏;李晓强 | 申请(专利权)人: | 深圳市得一微电子有限责任公司 |
| 主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国;高丽晶 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道科技*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储 设备管理 方法 装置 可读 介质 | ||
本发明公开了一种存储设备管理方法、装置及计算机可读存储介质。其中,所述存储设备管理方法包括以下步骤:获取存储设备中的目标块;获取所述目标块的多个读写参数,并从所述多个读写参数中获取所述目标块的最优读写参数;根据所述最优读写参数判断所述目标块是否为可用块;若所述目标块为可用块,则将所述可用块与所述最优读写参数关联保存,并调用所述最优读写参数对所述可用块进行读写操作。本发明具有提高存储设备读写速度、延长存储设备寿命的优点。
技术领域
本发明涉及数据存储技术领域,尤其涉及存储设备管理方法、装置及可读存储介质。
背景技术
现有技术中,当存储设备中的大部分块即将达到最大擦除次数或者出错较大时,存储设备即进入生命后期状态;而读写参数由生产厂商预先写入,在存储设备中基本不会改变,然而随着使用环境因素等发生改变,这些固定的读写参数会导致进入生命后期状态的存储设备在读写时间出现大量的纠错、解码等过程,导致存储设备读写速度降低;同时根据预先写入的读写参数导致存储设备无法正确读取数据时,存储设备将被判定为报废/不可用,导致存储设备的使用寿命缩短。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种存储设备管理方法、装置及可读存储介质,旨在现有技术中进入生命后期状态后存储设备读写速度降低、寿命减短的问题。
为实现上述目的,本发明提供一种存储设备管理方法,所述存储设备管理方法包括以下步骤:
获取存储设备中的目标块;
获取所述目标块的多个读写参数,并从所述多个读写参数中获取所述目标块的最优读写参数;
根据所述最优读写参数判断所述目标块是否为可用块;
若所述目标块为可用块,则将所述可用块与所述最优读写参数关联保存,并调用所述最优读写参数对所述可用块进行读写操作。
优选地,所述根据所述最优读写参数判断所述目标块是否为可用块的步骤包括:
根据所述最优读写参数对所述目标块进行读写操作时,判断所述目标块是否可进行纠错操作;
若是,则将所述目标块判定为可用块,并将所述可用块存入可用块列表。
优选地,所述获取存储设备中的目标块的步骤之后,还包括:
判断所述存储设备是否处于空闲状态;
若是,则执行获取所述目标块的多个读写参数的步骤。
优选地,所述获取存储设备中的目标块的步骤包括:
获取储备设备中每个块的磨损次数,标记磨损次数大于预设次数的块作为所述目标块;及/或
获取储备设备中的坏块及/或出错较多的块,将所述坏块及/或出错较多的块作为所述目标块。
优选地,所述读写参数包括对数似然比、阈值判定电压及跳列,所述最优读写参数包括最优对数似然比、最优阈值判定电压及最优跳列。
优选地,所述读写参数包括对数似然比,所述获取所述目标块的多个读写参数,并从所述多个读写参数中获取所述目标块的最优读写参数的步骤包括:
获取所述目标块的所有页在多次读写操作时的出错信息;
根据所述出错信息及预设计算规则计算得到多个对数似然比;
根据所述多个对数似然比进行纠错操作时,将纠错能力最强的对数似然比作为最优对数似然比。
优选地,所述读写参数包括阈值判定电压,所述获取所述目标块的多个读写参数,并从所述多个读写参数中获取所述目标块的最优读写参数的步骤包括:
获取按照多个阈值判定电压进行数据写入操作时对应的多个出错概率;
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