[发明专利]一种有机发光二极管、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201811162436.5 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN109326735B | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
发明(设计)人: | 李维维;何麟;李梦真;田景文;李田田 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L27/32 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光二极管 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种有机发光二极管,其特征在于,包括:第一电极、第二电极、发光层和至少一层阻挡层;
所述第一电极与所述第二电极相对设置;
所述发光层位于所述第一电极与所述第二电极之间;
所述阻挡层位于所述发光层与所述第二电极之间,和/或,所述阻挡层位于所述发光层与所述第一电极之间;
其中,同一层阻挡层中包括至少两种阻挡材料,且至少一种所述阻挡材料的电子迁移率低于第一预设值,至少另一种所述阻挡材料的电子迁移率高于第二预设值,且所述第一预设值低于所述第二预设值;
所述阻挡层用于提高第一载流子注入到所述发光层中的效率,并阻挡第二载流子穿越发光层后继续向所述第二电极和/或所述第一电极传输;
其中,所述第一载流子为电子,所述第二载流子为空穴;或者
所述第一载流子为空穴,所述第二载流子为电子;
所述至少一层阻挡层包括空穴阻挡层,所述空穴阻挡层位于所述发光层与所述第二电极之间;所述空穴阻挡层包括第一空穴阻挡材料和第二空穴阻挡材料,所述第一空穴阻挡材料的电子迁移率低于所述第二空穴阻挡材料的电子迁移率;所述空穴阻挡层中,所述第一空穴阻挡材料与所述第二空穴阻挡材料的体积之和记为S1,所述第一空穴阻挡材料的体积记为X1;其中,30%≤X1/S1≤60%;所述第一空穴阻挡材料的电子迁移率B1的取值范围为1.0×10-6cm2/(V·s)≤B1≤1.0×10-5cm2/(V·s),所述第二空穴阻挡材料的电子迁移率C1的取值范围为1.0×10-5cm2/(V·s)≤C1≤1.0×10-4cm2/(V·s)。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,所述第一空穴阻挡材料与所述第二空穴阻挡材料的体积比为1:1。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管,其特征在于,所述至少一层阻挡层包括电子阻挡层,所述电子阻挡层位于所述发光层与所述第一电极之间;
所述电子阻挡层包括第一电子阻挡材料和第二电子阻挡材料,所述第一电子阻挡材料的电子迁移率低于所述第二电子阻挡材料的电子迁移率;
所述电子阻挡层中,所述第一电子阻挡材料和所述第二电子阻挡材料的体积之和记为S2,所述第一电子阻挡材料记为X2;其中,20%≤X2/S2≤70%。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管,其特征在于,所述第一电子阻挡材料与所述第二电子阻挡材料的体积比为1:1。
5.根据权利要求3所述的有机发光二极管,其特征在于,所述第一电子阻挡材料的电子迁移率B2的取值范围为1.0×10-7cm2/(V·s)≤B2≤1.0×10-5cm2/(V·s),所述第二电子阻挡材料的电子迁移率C2的取值范围为1.0×10-5cm2/(V·s)≤C2≤1.0×10-4cm2/(V·s)。
6.一种显示面板,其特征在于,包括衬底基板,以及位于所述衬底基板一侧呈阵列排布的多个像素单元;
其中,至少部分所述像素单元包括权利要求1-5任一项所述的有机发光二极管。
7.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求6所述的显示面板。
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