[发明专利]一种用于激光切割低温共烧陶瓷的装置及方法

权利要求书

1.一种用于激光切割低温共烧陶瓷的装置，其特征在于，包括激光器、扩束镜、双轨光学衍射元件、扫描振镜、远心场镜、用于固定待切割工件的X-Y运动载台，其中，所述激光器发出第一光束，第一光束经扩束镜准直后到达双轨光学衍射元件，所述双轨光学衍射元件将入射的第一光束转化为两束光斑能量分布一致的第二光束射出，到达扫描振镜，所述第二光束经扫描振镜调整方向后由远心场镜聚焦，再对X-Y运动载台上的待切割工件进行切割；所述装置还包括设置在双轨光学衍射元件与扫描振镜之间的多光点光学衍射元件，所述多光点光学衍射元件可将双轨光学衍射元件整形后的两束第二光束转换为多束光斑能量分布一致的多光束；所述激光器为紫外皮秒激光器，激光波长为343nm，最大输出功率为30w，脉冲宽度＜10ps，重复频率为400KHz～800KHz，最大脉冲能量为75uJ。

2.根据权利要求1所述的用于激光切割低温共烧陶瓷的装置，其特征在于，所述装置还包括设置在X-Y运动载台一侧的用于与激光器配合完成切割的CCD同步影像监控系统。

3.根据权利要求1所述的用于激光切割低温共烧陶瓷的装置，其特征在于，所述装置还包括设置在激光器与扫描振镜之间的多个用于连接光路的反射镜。

4.根据权利要求1所述的用于激光切割低温共烧陶瓷的装置，其特征在于，所述装置还包括设置在X-Y运动载台一侧的旁轴吹气装置。

5.根据权利要求3所述的用于激光切割低温共烧陶瓷的装置，其特征在于，所述反射镜与扩束镜之间设有用于防止激光束漏光的光闸。

6.一种基于权利要求1～5任一所述的用于激光切割低温共烧陶瓷的装置的激光切割低温共烧陶瓷方法，其特征在于，包括步骤：

A、激光器出光，射出第一光束到达扩束镜；

B、第一光束经扩束镜准直后到达双轨光学衍射元件；

C、所述双轨光学衍射元件将第一光束转化为两束光斑能量分布一致的第二光束后，两束第二光束射向多光点光学衍射元件；

D、所述两束第二光束经多光点光学衍射元件整形为多光束后射向扫描振镜；

E、扫描振镜调整多光束的方向后，由远心场镜聚焦对X-Y台上的陶瓷片进行切割。

7.根据权利要求6所述的激光切割低温共烧陶瓷方法，其特征在于，所述步骤C还包括步骤；

调节双轨光学衍射元件与远心场镜的距离，以改变两个第二光束光斑之间的距离。

8.根据权利要求6所述的激光切割低温共烧陶瓷方法，其特征在于，所述步骤D还包括步骤；

旋转多光点光学衍射元件，以改变多光束的光斑之间的距离。