[发明专利]比较装置和包括该比较装置的CMOS图像传感器有效

专利信息
申请号: 201811157727.5 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN110166719B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 金贤俊 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N5/378
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 比较 装置 包括 cmos 图像传感器
【权利要求书】:

1.一种比较装置,该比较装置包括:

比较电路,所述比较电路包括输入端口以分别接收输入信号和斜坡信号,并且所述比较电路被构造成将所述输入信号与所述斜坡信号进行比较以输出比较信号;

计数器电路,所述计数器电路联接到所述比较电路以接收所述比较信号并且被构造成提供所述比较信号的计数值;

条带值发生电路,所述条带值发生电路联接到所述计数器电路并且被构造成生成条带值,所述条带值表示预测模数转换代码值和与来自所述计数器电路的所述计数值相关联的实际模数转换代码值之间的差;以及

控制电路,所述控制电路联接到所述条带值发生电路和所述比较电路并且被构造成基于从所述条带值发生电路输出的所述条带值来控制流经所述比较电路的输入网络的电流,

其中,所述控制电路包括:

偏置控制器,所述偏置控制器联接到条带值发生器并且被构造成基于从所述条带值发生电路输出的所述条带值来提供偏置电压,并且

其中,所述偏置控制器包括数模转换装置,所述数模转换装置产生与从所述条带值发生电路输出的所述条带值成比例的偏置电压。

2.根据权利要求1所述的比较装置,其中,所述条带值发生电路包括:

存储器,所述存储器被构造成存储所述预测模数转换代码值;以及

所述条带值发生器,所述条带值发生器联接到所述存储器并且被构造成基于存储在所述存储器中的所述预测模数转换代码值来生成所述条带值。

3.根据权利要求2所述的比较装置,其中,所述控制电路还包括:

电流控制器,所述电流控制器联接到所述偏置控制器并且被构造成基于从所述偏置控制器输出的所述偏置电压来控制所述比较电路的所述输入网络的所述电流。

4.根据权利要求3所述的比较装置,其中,所述电流控制器通过基于从所述偏置控制器输出的所述偏置电压调节所述比较电路的所述输入网络的跨导来控制所述比较电路的所述输入网络的所述电流。

5.根据权利要求3所述的比较装置,其中,所述电流控制器包括至少一个晶体管,所述至少一个晶体管的源极端子和漏极端子联接到所述比较电路的所述输入网络并且所述至少一个晶体管的栅极端子联接到所述偏置控制器以从所述偏置控制器接收所述偏置电压。

6.根据权利要求3所述的比较装置,其中,所述电流控制器包括:

第一晶体管,所述第一晶体管的源极端子联接到所述比较电路的第一输入晶体管和第二输入晶体管的源极端子,并且所述第一晶体管的漏极端子联接到所述第一输入晶体管的漏极端子,其中,所述第一晶体管通过所述第一晶体管的栅极端子从所述偏置控制器接收偏置电压;以及

第二晶体管,所述第二晶体管的源极端子联接到所述比较电路的所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管的源极端子,并且所述第二晶体管的漏极端子联接到所述第二输入晶体管的漏极端子,其中,所述第二晶体管通过所述第二晶体管的栅极端子从所述偏置控制器接收偏置电压。

7.根据权利要求1所述的比较装置,其中,所述控制电路包括:

偏置控制器,所述偏置控制器联接到所述条带值发生电路并且被构造成基于从所述条带值发生电路输出的所述条带值来产生多个偏置电压;以及

电流控制器,所述电流控制器联接到所述偏置控制器并且被构造成基于来自所述偏置控制器的所述多个偏置电压来控制所述比较电路的所述输入网络的所述电流。

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