[发明专利]应力探测装置与应力探测矩阵系统在审

专利信息
申请号: 201811157312.8 申请日: 2018-09-30
公开(公告)号: CN109282930A 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 闫培光;陈浩;尹金德;邢凤飞 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: G01L5/00 分类号: G01L5/00
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 袁文英
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 应力探测 层状材料 二维 硅衬底 探测组件 矩阵系统 探测电路 衬底 凹槽结合 电极电性 间接测量 两侧设置 外部应力 应力测量 装置结构 准确度 电极 微米级 一空腔 贴合 测量 应用
【权利要求书】:

1.一种应力探测装置,其特征在于,所述装置包括硅衬底与探测组件,所述硅衬底设置有凹槽,所述探测组件包括柔性衬底、二维层状材料片及探测电路;

所述二维层状材料片设置于所述柔性衬底的表面,所述二维层状材料片与所述硅衬底的表面相贴合,且所述二维层状材料片与所述凹槽结合形成一空腔;

所述凹槽的两侧设置有电极,所述探测电路与所述电极电性连接。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述二维层状材料片与所述电极之间为欧姆接触关系。

3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述柔性衬底为高分子有机聚合物,所述高分子有机聚合物包括聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯醇和聚二甲基硅氧烷中的至少一种。

4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述二维层状材料片包括过渡金属硫化物和黑磷中的至少一种。

5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述探测电路包括驱动电路,所述驱动电路用于对所述二维层状材料片施加偏置电压。

6.如权利要求5所述的装置,其特征在于,所述探测电路还包括电信号放大电路和应力探测电路,所述电信号放大电路用于放大所述二维层状材料片中产生的电信号,所述应力探测电路用于探测所述二维层状材料片中被放大的电信号。

7.如权利要求1至6任意一项所述的装置,其特征在于,所述凹槽是利用电子束曝光或双束刻蚀的方式在所述硅衬底表面加工而成。

8.如权利要求7所述的装置,其特征在于,所述柔性衬底的厚度为10μm~30μm。

9.一种应力探测矩阵系统,其特征在于,所述应力探测矩阵系统包括衬底与若干个应力探测装置,所述若干个应力探测装置按照预设的排布方式排布于所述衬底的表面;

所述应力探测装置为权利要求1至8中任意一项所述的应力探测装置。

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