[发明专利]一种环形温度传感器

权利要求书

1.一种环形温度传感器，用于测量晶体管的温度，包括：

按由内而外顺序依次设置在所述晶体管的有源区的环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形阳极、环形N阱区以及环形P阱区；

环形阴极，所述环形阴极设置在所述环形N型重掺杂区，所述环形阴极与所述晶体管的源极短路设置；以及

阳极焊盘，所述阳极焊盘与所述环形阳极连接，所述阳极焊盘向所述环形P型重掺杂区延伸；

其中，环形P型重掺杂区和环形N型重掺杂区均存在一个缺口，缺口的宽度与阳极焊盘的宽度一致；环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形阳极、环形N阱区以及环形P阱区同心设置，将所述晶体管的栅极焊盘、源极金属、源极焊盘包裹，使得温度传感器集成在所述晶体管有源区的边缘；

所述温度传感器设置在晶体管的外延层上，而外延层设置在衬底上，衬底设置在漏极上；环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形N阱区以及环形P阱区均位于外延层的内部，而环形阳极和环形阴极位于外延层的上方且二者的其中一部分均向远离外延层的方向延伸；环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形N阱区均位于环形P阱区的内部。

2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述环形阳极采用肖特基接触。

3.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述环形阴极采用欧姆接触。

4.如权利要求1-3任一项所述的传感器，其特征在于，所述环形N阱区通过N离子掺杂形成。

5.如权利要求4所述的传感器，其特征在于，所述N离子的掺杂浓度为5E17～1E18cm^-3。

6.如权利要求1-3任一项所述的传感器，其特征在于，所述环形P阱区通过Al离子掺杂形成。

7.如权利要求6所述的传感器，其特征在于，所述Al离子的掺杂浓度为1E16～2E18cm^-3。

8.如权利要求1-3任一项所述的传感器，其特征在于，所述环形P型重掺杂区的环宽为1μm～3μm。

9.如权利要求1-3任一项所述的传感器，其特征在于，所述环形N型重掺杂区的环宽为1μm～3μm。