[发明专利]用于氨氧化处理的触媒

说明书

本发明提出一种用于氨氧化处理的触媒，于组成上包括：多个颗触媒颗粒以及用以携载该多个颗触媒颗粒的一担体。特别地，本发明以铂或者包含铂的复合物制成该多个颗触媒颗粒，并且令晶面为(111)的该触媒颗粒与晶面为(101)的该触媒颗粒于该担体之上具有一分布比例，且该分布比例介于1:1至10:1之间。实际应用本发明之时，只需要将上述之用于氨氧化处理的触媒于一操作温度下置于带有氨气的废气之中，就能够基于高氮气选择率将该氨气氧化。

技术领域

本发明关于废弃污染源处理的技术领域，尤指一种用于氨氧化处理的触媒。

背景技术

除了具有优秀的电绝缘作用，氮化硅(Si₃N₄)薄膜在高温高湿度的环境之下不易被氧化或水气渗透；因此，氮化硅材料常用于制造半导体组件或集成电路芯片。举例而言，可使用低压化学气相沉积设备(Low Pressure Chemical Vapor Deposition System,LPCVD)形成氮化硅层于硅晶表面；此时，氮化硅层作为防止硅氧化作用发生的遮蔽层。执行LPCVD的过程中，氮化硅层由二氯硅烷(SiCl₂H₂)与氨依据以下反应式(1)而生成。

SiCl₂H₂+4NH₃→Si₃N₄+6HCl+6H₂..............(1)

值得注意的是，未利用完全的氨气通常由后端帮浦抽除并进一步地输入一废气处理系统之中。传统的废气处理系统使用硫酸水溶液吸收工艺废气所带有的氨气；然而，这种处理方式需使用大量强酸，后续还需进行酸碱中和操作，同时还会存在着产生氨氮废水的问题。随着环保法规趋于严格，业者需将氨氮废水处理至极低浓度(氨氮的浓度需小于20mg/L)才能排放。可想而知，为了降低废水中的氨氮浓度，业者势必付出更高的处理成本。

为解决上述问题，业界提出以触媒直接对废气中的氨进行高温氧化，以将氨转变成氮(N₂)及水(H₂0)。这样的氨处理方式具有可大量处理与无二次污染等优点。然而，目前业界所使用来氧化废气中的氨之触媒，其被用于低温(或常温)的氮处理之时，显示出氮选择率低的重要缺陷。总的来说，现有的氮处理触媒仍旧于实务应用上显示出缺陷与不足；有鉴于此，本案之发明人极力加以研究发明，而终于研发完成本发明之一种用于氨氧化处理的触媒。

发明内容

本发明的主要目的在于提出一种用于氨氧化处理的触媒，其于组成上包括：多个颗触媒颗粒以及用以携载该多个颗触媒颗粒的一担体。特别地，本发明以铂或者包含铂的复合物制成该多个颗触媒颗粒，并且令晶面为(111)的该触媒颗粒与晶面为(101)的该触媒颗粒于该担体之上具有一分布比例，且该分布比例介于1:1至10:1之间。实际应用本发明之时，只需要将上述之用于氨氧化处理的触媒于一操作温度下置于带有氨气的废气之中，就能够基于高氮气选择率将该氨气氧化。

为了达成上述本发明之主要目的，本案发明人提供所述用于氨氧化处理的触媒的一实施例，包括：

一担体；以及

多个颗触媒颗粒，由该担体所携载；

其中，该触媒颗粒由铂或者包含铂的复合物所制成；

其中，于该担体之上，晶面为(111)的该触媒颗粒与晶面为(101)的该触媒颗粒之间具有一分布比例，且该分布比例介于1:1至10:1之间。

于本发明之所述用于氨氧化处理的触媒的实施例中，其中，该担体为一氧化铟锡基板或一金属氧化物半导体材料掺杂的氧化铟锡基板。