[发明专利]一种核壳纳米晶及其制备方法在审
| 申请号： | 201811156122.4 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109097051A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 张超;李霞;张孟 | 申请（专利权）人： | 嘉兴纳鼎光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/88 | 分类号： | C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 叶蕙;王锋 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 壳层 量子点 核壳纳米晶 制备 纳米晶 匹配度 包覆 含镉 能级 致密 镉系量子点 包覆壳层 光学性能 晶格常数 量子效率 过渡层 核层 硫层 铟锌 带宽 生长 | ||
1.一种核壳纳米晶，包括含镉的量子点核以及包覆所述量子点核的壳层，其特征在于：所述的壳层包括InxZnyS1-x-y壳层，其中0＜X＜1，0＜Y＜1。
2.根据权利要求1所述的核壳纳米晶，其特征在于：所述量子点核包括CdSe量子点、CdSeS量子点、CdZnSe量子点或CdS量子点。
3.根据权利要求1所述的核壳纳米晶，其特征在于：所述的量子点核上依次包覆有过渡层和壳层；优选的，所述过渡层包括CdS过渡层；优选的，所述过渡层的厚度为1～10nm。
4.根据权利要求1所述的核壳纳米晶，其特征在于：所述壳层包括依次包覆在量子点核上的ZnS壳层及InxZnyS1-x-y壳层；和/或，所述核的尺寸为1～8nm；和/或，所述壳层的厚度为1～10nm。
5.一种核壳纳米晶的制备方法，其特征在于包括：
提供含镉的量子点核；
于所述量子点核上包覆过渡层及壳层，所述壳层包括InxZnyS1-x-y壳层，其中0＜X＜1，0＜Y＜1。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)提供包含量子点核的第一液相反应体系；
(2)将所述第一液相反应体系的温度调节至第一温度，加入镉源与硫源，反应形成第二液相反应体系，所述第二液相反应体系包含表面包覆有过渡层的含镉类量子点；
(3)将所述第二液相反应体系的温度调节至第二温度，加入锌源与硫源，反应形成第三液相反应体系，所述第三液相反应体系包含表面依次包覆有过渡层及ZnS壳层的含镉类量子点；
(4)将所述第三液相反应体系的温度调节至第三温度，加入铟源，硫源及锌源，反应形成核壳结构纳米晶，所述核壳结构纳米晶包括作为核的含镉类量子点及依次包覆于核上的过渡层、ZnS壳层及InxZnyS1-x-y壳层，其中0＜X＜1，0＜Y＜1。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述作为核的含镉类量子点包括CdSe量子点、CdSeS量子点、CdZnSe量子点或CdS量子点；
和/或，所述作为核的含镉类量子点的制备方法包括以下步骤：
使包含第一金属源、第二金属源及溶剂的混合反应体系于100～150℃混合，形成第一前驱体；以及
将所获第一前驱体升温至150～250℃，加入硒源，反应1～60min，形成作为核的含镉类量子点；
优选的，所述第一金属源包括镉源，所述第二金属源包括锌源。
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