[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201811154668.6 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109300782A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 康俊龙;成鑫华;郝艳霞;尹俊;聂广宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 退火工艺 栅氧化层 界面层 对栅 氘气 半导体 半导体集成电路制造 氧化层表面 悬挂 激光处理 快速退火 氧化层 制造 激光 填补 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
S1：提供一半导体衬底；
S2：在半导体衬底上形成栅氧化层；
S3：对栅氧化层表面采用激光快速退火工艺进行激光处理；以及
S4：对栅氧化层进行氘气退火工艺。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，步骤S2为对所述半导体衬底进行热氧化处理和热处理工艺，形成所述栅氧化层，所述栅氧化层包括炉管氧化层和单片氧化层。
3.根据权利要求1或2任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述栅氧化层的厚度为20A～80A。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述激光快速退火工艺为波长为10.6μm的LSA工艺、波长为0.5～0.8μm的FLA工艺和波长为0.8μm的DLA工艺中的其中之一。
5.根据权利要求1或4任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述激光快速退火工艺的温度T为1100℃＜T＜1400℃。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氘气退火工艺的反应压力为常压，处理气体为氘气(D2)和N2混合气体，氘气的流量为800sccm～1000sccm，氮气的流量为10slm～16slm。
7.根据权利要求1或6任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氘气退火工艺的处理温度在450℃-600℃之间。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氘气退火工艺的处理温度为475℃。
9.根据权利要求1或6任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氘气退火工艺的退火时间为30min～60min之间。
10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述氘气退火工艺的退火时间为30min。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
