[发明专利]半导体器件的介电层化学机械研磨方法在审
| 申请号： | 201811154536.3 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109300784A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘怡良;于明非;林旭;陈建勋 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电层 化学机械研磨 半导体器件 光罩层 金属线 衬底 第二区域 第一区域 半导体集成电路制造 化学机械研磨液 掺杂金属离子 开启电压 研磨 电性 淀积 掩膜 去除 匹配 调配 | ||
1.一种半导体器件的介电层化学机械研磨方法，其中，所述半导体器件包括衬底，衬底上包括介电层，且所述衬底上第一区域内的介电层内金属线坯的间隙不等于第二区域内的介电层内金属线坯的间隙，其特征在于，包括：
步骤S1：在所述第二区域的介电层上淀积光罩层，以所述光罩层为掩膜向所述第一区域内掺杂金属离子；
步骤S2：去除所述光罩层；以及
步骤S3：使用化学机械研磨液对所述介电层进行化学机械研磨。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的介电层化学机械研磨方法，其特征在于，更包括步骤S4：进行下制成的金属化学机械研磨，且下制成的金属化学机械研磨后，所述第二区域内的栅极结构的高度等于所述第一区域内的栅极结构的高度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的介电层化学机械研磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨液的特性为：SiN removal rate<<OX removal rate，则所述第一区域内的介电层内金属线坯的间隙小于所述第二区域内的介电层内金属线坯的间隙，在所述第二区域的介电层上淀积所述光罩层，以所述光罩层为掩膜向所述第一区域内掺杂金属离子。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的介电层化学机械研磨方法，其特征在于，所述第一区域内的介电层内金属线坯的间隙为a，且a≤0.3um。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的介电层化学机械研磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨液的特性为：SiN removal rate>>OX removal rate，则所述第一区域内的介电层内金属线坯的间隙大于所述第二区域内的介电层内金属线坯的间隙，在所述第二区域的介电层上淀积所述光罩层，以所述光罩层为掩膜向所述第一区域内掺杂金属离子。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的介电层化学机械研磨方法，其特征在于，所述第一区域内的介电层内金属线坯的间隙为a，且a＞0.3um。
7.根据权利要求1、3或5任一项所述的半导体器件的介电层化学机械研磨方法，其特征在于，所述金属离子为磷(P)或硼(B)离子。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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