[发明专利]半导体设备工艺腔的晶圆升降装置

权利要求书

1.一种半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：晶圆升降装置设置在半导体设备工艺腔的底部并延伸到所述半导体设备工艺腔中，所述晶圆升降装置包括：

升降管，设置在半导体设备工艺腔的底部并延伸到所述半导体设备工艺腔中；

所述半导体设备工艺腔为密封结构，所述升降管的内部也为密封结构且所述升降管的内部和所述半导体设备工艺腔密封在一起；

升降块，所述升降块设置在所述升降管的内部，在所述升降块的顶部设置有顶针，通过所述顶针和晶圆接触；所述升降块在所述升降管的内部上下移动并带动所述顶针上下移动并实现对所述晶圆的升降控制；

所述升降块的宽度小于所述升降管的直径，在所述升降块的侧面和所述升降管的内侧面之间设置有缓冲装置，所述缓冲装置防止所述升降块的侧面和所述升降管的内侧面直接接触并减少所述升降块和所述升降管的内侧面碰撞时产生的摩擦力，所述缓冲装置设置在所述升降块上且在所述升降块和所述升降管不碰撞的状态下所述缓冲装置和所述升降管的内侧面无接触。

2.如权利要求1所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：所述缓冲装置包括轴承，所述轴承安装在所述升降块上，所述升降块和所述升降管的内侧面产生碰撞时由所述轴承和所述升降管的内侧面接触从而减少所述升降块和所述升降管之间的摩擦力。

3.如权利要求2所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：所述轴承的数量为4个。

4.如权利要求3所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：在所述升降块的顶端的左右两侧分别安装有一个所述轴承；在所述升降块的底端的左右两侧分别安装有一个所述轴承。

5.如权利要求4所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：所述升降块包括一根主体块以及设置在所述主体块上的3个横向子块，各所述横向子块的宽度大于所述主体块的宽度。

6.如权利要求5所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：在所述升降块的顶端的所述横向子块的左右两侧分别安装有一个所述轴承；在所述升降块的底端的所述横向子块的左右两侧分别安装有一个所述轴承。

7.如权利要求6所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：所述半导体设备工艺腔中设置有晶圆放置台，所述晶圆放置台的正面用于放置所述晶圆，所述晶圆放置台中设置有供所述顶针穿过的针孔。

8.如权利要求6所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：在所述升降块的顶端的所述横向子块的顶部表面设置有顶部位置传感器，在所述升降块的底端的所述横向子块的底部表面设置有底部位置传感器。

9.如权利要求8所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：在所述升降管的底部位置的外侧设置有环绕在所述升降管外侧面的外部磁环；所述底部位置传感器或所述顶部位置传感器穿过所述外部磁环环绕区域时实现对所述升降块的上下位置的检测。

10.如权利要求1所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：所述升降块的上下运动的驱动力为气动力并由气缸提供。

11.如权利要求1所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：所述升降块的上下运动的驱动力为电动力并由马达提供。

12.如权利要求1所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：半导体设备为快速热退火设备，所述半导体设备工艺腔为快速热退火工艺腔。

13.如权利要求12所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：所述半导体设备工艺腔通过灯管辐射加热。

14.如权利要求1所述的半导体设备工艺腔的晶圆升降装置，其特征在于：所述升降管和所述升降块都是由金属材料组成。