[发明专利]一种薄膜晶体管的制造方法及薄膜晶体管

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

形成栅极；

形成覆盖栅极的栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成半导体层；

形成均与半导体层接触的源极和漏极；

在半导体层的背沟道上形成绝缘性质的半导体内钝化层，所述半导体内钝化层的导电率低于所述半导体层的导电率；所述步骤“在半导体层背沟道上形成半导体内钝化层”之后还包括步骤：

在源极和漏极的表面形成绝缘性质的金属内钝化层，所述金属内钝化层的导电率低于所述源极和所述漏极的导电率；所述步骤“在半导体层的背沟道上形成半导体内钝化层”之前还包括步骤：对半导体层的背沟道进行第一次修复处理，所述第一次修复处理以不发生金属表面放电损伤为界限；

所述步骤“在源极和漏极表面形成金属内钝化层”之后还包括步骤：对半导体层的背沟道进行第二次修复处理；

在形成半导体内钝化层和金属内钝化层之后，形成与半导体内钝化层和金属内钝化层接触的保护层。

2.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

形成栅极；

形成覆盖栅极的栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成半导体层；

形成均与半导体层接触的源极和漏极；

在半导体层的背沟道上形成绝缘性质的半导体内钝化层，所述半导体内钝化层的导电率低于所述半导体层的导电率；所述步骤“在半导体层的背沟道上形成半导体内钝化层”之前还包括步骤：

在源极和漏极的表面形成金属内钝化层，所述金属内钝化层的导电率低于所述源极和所述漏极的导电率；所述步骤“在半导体层的背沟道上形成半导体内钝化层”与所述步骤“在源极和漏极的表面形成金属内钝化层”之间还包括步骤：

对半导体层的背沟道进行沟道修复处理；半导体内钝化层根据所选择的半导体层材料内钝化处理；金属内钝化层根据源极和漏极的金属层材料进行内钝化处理；所述步骤“在源极和漏极的表面形成金属内钝化层”之前还包括步骤：对半导体层的背沟道进行第一次修复处理，所述第一次修复处理以不发生金属表面放电损伤为界限；

所述步骤“在半导体层的背沟道上形成半导体内钝化层”之后还包括步骤：对半导体层的背沟道进行第二次修复处理；所述步骤“在半导体层的背沟道上形成半导体内钝化层”具体包括步骤：

在半导体层的背沟道上形成半导体内钝化层，同时对半导体层的背沟道进行沟道修复处理；

在形成半导体内钝化层和金属内钝化层之后，形成与半导体内钝化层和金属内钝化层接触的保护层。

3.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

形成栅极；

形成覆盖栅极的栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上形成半导体层；

形成均与半导体层接触的源极和漏极；

在半导体层的背沟道上形成半导体内钝化层，所述半导体内钝化层的导电率低于所述半导体层的导电率；所述步骤“在半导体层的背沟道上形成半导体内钝化层”具体包括步骤：

在半导体层的背沟道上形成半导体内钝化层，同时在源极和漏极上形成金属内钝化层；所述半导体内钝化层的导电率低于所述半导体层的导电率，所述金属内钝化层的导电率低于所述源极和所述漏极的导电率；所述步骤“在半导体层的背沟道上形成半导体内钝化层，同时在源极和漏极上形成金属内钝化层”之前还包括步骤：对半导体层的背沟道进行第一次修复处理，所述第一次修复处理以不发生金属表面放电损伤为界限；

所述步骤“在半导体层的背沟道上形成半导体内钝化层，同时在源极和漏极上形成金属内钝化层”之后还包括步骤：对半导体层的背沟道进行第二次修复处理；半导体内钝化层根据所选择的半导体层材料内钝化处理；金属内钝化层根据源极和漏极的金属层材料进行内钝化处理；

在形成半导体内钝化层和金属内钝化层之后，形成与半导体内钝化层和金属内钝化层接触的保护层。

4.根据权利要求1-3任一所述薄膜晶体管的制造方法制造的薄膜晶体管，其特征在于，包括：

栅极；

覆盖栅极的栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上的半导体层；

在所述半导体层之上的源极和漏极，所述源极和所述漏极均与所述半导体层上接触；

在半导体层的背沟道上的半导体内钝化层，所述半导体内钝化层的导电率低于所述半导体层的导电率。