[发明专利]一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法

说明书

本发明公开了一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，包括如下步骤；1.对生瓷片进行预烘干、打孔开腔、填孔、导体印刷和金属导体烘干处理；2.将生瓷片进行脱膜处理；3.叠片处理，将生瓷片进行叠加作为基板，基板上下表面腔体从表面向中心面积依次减小，并通过未开腔的生瓷片进行隔离；基板顶底各放置有金属片成为整体，作为生瓷坯；4.将生瓷坯进行真空包封；5.将真空包封好的生瓷坯进行等静压层压；6.完成等静压层压后，将基板取出，再对基板进行热切，切割出需要的图形及尺寸，去除多余的角料，并切割出填充块；7.将填充块放置在基板底部最内层腔体内，将基板底部放置在烧结炉内的承烧板上进行低温烧结。

技术领域

本发明属于半导体混合集成电路技术领域，涉及一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法。

背景技术

通常情况下，LTCC基板中无腔体、或者腔体均布置在基板的一面，另一面不含腔体。而对于高度集成的SiP产品及LTCC射频/微波产品，要求芯片与元器件间的互连路径尽可能短，常规单面结构只能将芯片组装在基板一面，或者一面的腔体内部，导致基板尺寸无法缩小，互连引线无法缩短，射频信号还会产生寄生干扰，进而影响电路的性能。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，实现了尺寸缩小的双面腔体LTCC基板，达到了提高射频/微波及高度集成SiP模块的性能。

为达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：

一种双面多台阶腔体的LTCC基板制造方法，包括如下步骤；

步骤1，对生瓷片进行预烘干、打孔开腔、填孔、导体印刷和金属导体烘干处理；

步骤2，将步骤1处理后的生瓷片进行脱膜处理；

步骤3，叠片处理，将若干脱膜处理后的生瓷片进行叠加作为基板，基板上下表面腔体从表面向中心面积依次减小，上下表面最靠近中心处的腔体通过未开腔的生瓷片进行隔离；基板顶底各放置有金属片成为整体，作为生瓷坯；金属片设置有通孔，通孔的形状和位置分别对应所接触的基板最外层腔体的形状和位置；

步骤4，将生瓷坯进行真空包封；

步骤5，将真空包封好的生瓷坯进行等静压层压；

步骤6，完成等静压层压后，将基板取出，再对基板进行热切，切割出需要的图形及尺寸，去除多余的角料，并切割出填充块；

步骤7，将填充块放置在基板底部腔体内，对底部最内层腔体进行支撑，然后将基板底部放置在烧结炉内的承烧板上进行低温烧结。

优选的，步骤3中，金属片与生瓷片通过粘接固定为一个整体。

优选的，步骤4中，在将生瓷坯放入真空包封袋前，使用软硅胶片将该生瓷坯双面包裹。

优选的，步骤3中，先将一片金属片放入叠片模具中，再将若干生瓷片逐个放入，最后再将一片金属片放入叠片模具中，叠片模具的定位柱穿过金属片和生瓷片的定位孔。

优选的，基体最外层生瓷片与金属片之间设置有一层保鲜膜。

优选的，步骤4中，在使用软硅胶片将生瓷坯双面包裹前，将生瓷坯的定位孔内填充用于排除空气的填充物。

优选的，步骤4中，真空包封压力为-0.1MPa，包封层数为两层。

优选的，步骤2中，脱模时采用工艺真空将生瓷片吸附在吸盘上，再去除生瓷片的PET膜，然后取消吸附，取下生瓷片；吸盘吸附生瓷片时，错开生瓷片腔体位置。

优选的，所述金属片为表面平整的不锈钢片，厚度为250μm。