[发明专利]介电层的制造方法

说明书

一种介电层的制造方法，此方法包括在基板上方形成层间介电质及栅极结构。栅极结构由层间介电质围绕。蚀刻栅极结构以形成凹槽。使用第一含硅前驱物在凹槽的侧壁及底部上方以及层间介电质的顶表面上方沉积第一介电层。使用与第一含硅前驱物不同的第二含硅前驱物在第一介电层上方且与第一介电层接触沉积第二介电层。使用第一含硅前驱物在第二介电层上方且与第二介电层接触沉积第三介电层。移除层间介电质的顶表面上方的第一、第二及第三介电层的部分。

技术领域

本揭露是关于一种介电层的制造方法。

背景技术

随着半导体技术的进步，对高储存容量、快速处理系统、高效能及低成本的需求不断增加。为了满足此等需求，半导体工业不断按比例缩小诸如金属氧化物半导体场效晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistors；MOSFETs)及finFET的半导体元件的尺寸，且亦增加集成电路(integrated circuit；IC)上的此等半导体元件的封装密度以在IC上容纳更多数量的半导体元件。此类按比例缩小增加了IC中半导体元件的处理及制造的复杂性。

发明内容

一种方法，此方法包括在基板上方形成层间介电质(interlayer dielectric；ILD)及栅极结构。栅极结构由层间介电质围绕。蚀刻栅极结构以形成凹槽。使用第一含硅前驱物在凹槽的侧壁及底部上方以及层间介电质的顶表面上方沉积第一介电层。使用与第一含硅前驱物不同的第二含硅前驱物在第一介电层上方且与第一介电层接触沉积第二介电层。使用第一含硅前驱物在第二介电层上方且与第二介电层接触沉积第三介电层。移除层间介电质的顶表面上方的第一、第二及第三介电层的部分。

附图说明

当结合随附附图阅读时，将自下文的详细描述最佳地理解本揭示案的态样。应注意，根据工业中的标准实务，并未按比例绘制各特征。事实上，为了论述清楚，可任意增加或减小各特征的尺寸。

图1A至图1G为根据本揭示案的一些实施例的用于在各个阶段制造半导体结构的方法的横截面视图；

图2为根据本揭示案的一些实施例的半导体结构的横截面视图；

图3A至图3E为根据本揭示案的一些实施例的用于在各个阶段制造半导体结构的方法的横截面视图；

图4为根据本揭示案的一些实施例的半导体结构的横截面视图；

图5A至图5E为根据本揭示案的一些实施例的用于在各个阶段制造半导体结构的方法的横截面视图；

图6为根据本揭示案的一些实施例的半导体结构的横截面视图。

具体实施方式

以下揭露内容提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供的标的的不同特征。下文描述部件及布置的特定实例以简化本揭示案。当然，这些仅为实例且不欲为限制性。举例而言，在下文的描述中，第一特征形成于第二特征上方或第二特征上可包括以直接接触形成第一特征与第二特征的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征可不处于直接接触的实施例。另外，本揭示案可在各实例中重复元件符号及/或字母。此重复系出于简化与清楚目的，且本身并不指示所论述的各实施例及/或配置之间的关系。

此外，为了便于描述，本文可使用空间相对性术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及类似者)来描述诸图中所图示一个元件或特征与另一元件(或多个元件)或特征(或多个特征)的关系。除了诸图所描绘的定向外，空间相对性术语意欲包含使用或操作中元件的不同定向。设备可经其他方式定向(旋转90度或处于其他定向上)且因此可类似解读本文所使用的空间相对性描述词。