[发明专利]制备真空绝缘玻璃窗单元的方法在审

专利信息
申请号: 201811150936.7 申请日: 2013-05-20
公开(公告)号: CN109184486A 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 蒂莫西·A·丹尼斯;安德鲁·W·潘特克 申请(专利权)人: 佳殿工业公司
主分类号: E06B3/66 分类号: E06B3/66;E06B3/677;E06B3/663;B32B7/12;B32B3/08;B32B17/06
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 张英;沈敬亭
地址: 美国密*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 高度变化 玻璃窗单元 玻璃基片 真空绝缘 最终边缘 优选 制备 烧制 密封 边缘密封 初始分配 熔块材料 真空泵 破损 申请
【权利要求书】:

1.一种制备真空绝缘玻璃窗单元的方法,所述方法包括以下步骤:

将熔块密封材料沉积在第一玻璃基片上,所述熔块密封材料具有周长,所述熔块密封材料通过机器被沉积并具有未燃烧高度,范围为0.6mm-0.9mm;以及

烧制含有所述第一玻璃基片、第二玻璃基片、和夹在所述第一玻璃基片和第二玻璃基片之间的所述熔块密封材料的子组件,来制备真空绝缘玻璃窗单元,其燃烧的熔块密封材料高度变化小于0.20mm;

其中,所述烧制的步骤,包括:对所述子组件应用对流循环一段时间,至少为20-30分钟;

其中,所述对流循环期间的温度变化低于或等于2℃;

其中,所述熔块密封材料是基于钒的并且包括钒、钡和锌的氧化物,以及其中,所述熔块密封材料具有小于250℃的烧制温度。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,通过机器被沉积的所述熔块密封材料的所述未燃烧高度范围为0.6mm-0.7mm,其所述烧制的步骤包括短波红外处理。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,有关所述周长的所述燃烧的熔块密封材料高度变化小于或等于0.15mm。

4.根据权利要求1或2所述的方法,其中,有关所述周长的所述燃烧的熔块密封材料高度变化小于或等于0.10mm。

5.根据权利要求1或2所述的方法,进一步包括:

将由所述熔块密封材料的周长所定义的腔排空至低于大气压的压力。

6.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述熔块密封材料包括:含有粘合剂的熔块。

7.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述熔块密封材料包括钒。

8.根据权利要求1或2所述的方法,进一步包括:在所述第一玻璃基片和第二玻璃基片之间配置多个隔离片。

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