[发明专利]一种功率器件的制造方法

说明书

本发明提供一种功率器件的制造方法，包括以下步骤：提供一个晶圆，所述晶圆上具有阱区、自所述阱区的上表面向下延伸的有源区及形成于所述阱区的上表面露出所述有源区的初始氧化层；在所述有源区的上表面形成厚栅氧层；进行所述功率器件开启电压调节注入形成注入区，所述注入区自所述有源区的上表面向下延伸；去除位于所述有源区的上表面的所述厚栅氧层；在所述有源区的上表面形成薄栅氧层；形成所述功率器件的多晶硅栅极；制作源区与漏区得到所述功率器件。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种功率器件的制造方法。

背景技术

近年来，电子产品取得了飞速发展，对功率器件的集成度及性能的需求也越来越高。目前，集成功率器件领域中，大多数功率器件都涉及非均匀的栅氧化层结构。涉及非均匀的栅氧化层结构的功率器件的传统制造方法通常为：形成阱区、有源区及初始氧化层等结构→形成厚栅氧层→刻蚀厚栅氧层→形成薄栅氧层→所述功率器件开启电压调节注入→做多晶硅沉积之前的清洗→多晶硅栅极淀积→形成源区及漏区。该传统方法存在以下缺陷：薄栅氧层通常比较薄，约在100埃～250埃之间，若在薄栅氧层形成之后进行注入及清洗等工艺，极易对薄栅氧层造成损伤，影响所述功率器件最终的击穿电压，进而影响所述功率器件的性能。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是如何提供一种能够提高所制得功率器件性能与良率的功率器件的制造方法。

为了解决上述问题，本发明提供了一种功率器件的制造方法，其包括以下步骤：

步骤S10：提供一个晶圆，所述晶圆上具有阱区、自所述阱区的上表面向下延伸的有源区及形成于所述阱区的上表面露出所述有源区的初始氧化层；

步骤S20：在所述有源区的上表面形成厚栅氧层；

步骤S30：进行所述功率器件开启电压调节注入形成注入区，所述注入区自所述有源区的上表面向下延伸；

步骤S40：去除位于所述有源区的上表面的所述厚栅氧层；

步骤S50：在所述有源区的上表面形成薄栅氧层；

步骤S60：形成所述功率器件的多晶硅栅极；

步骤S70：制作源区与漏区得到所述功率器件。

所述功率器件的制造方法采用先形成厚栅氧层，再进行所述功率器件开启电压调节注入形成所述注入区，然后形成所述薄栅氧层，最后直接形成所述多晶硅栅极的工艺顺序，无需在所述薄栅氧层形成之后再行注入、清洗等工艺，避免了对所述薄栅氧层造成损伤，提高了所得功率器件的性能及良率。

进一步的，在步骤S10中，所述初始氧化层的形成包含以下步骤：

步骤S11：在所述有源区的上表面形成氮化硅层；

步骤S12：在所述阱区的上表面采用热氧化法形成初始氧化层，由于所述氮化硅层的阻挡，在所述氮化硅层下方的所述初始氧化层会形成鸟嘴结构，所述鸟嘴结构的尖端缺陷较大；

步骤S13：将所述氮化硅层去除，露出所述有源区。

进一步的，在步骤S40中，去除全部的位于所述有源区的上表面的厚栅氧层。

进一步的，在步骤S50中，在全部的所述有源区的上表面形成薄栅氧层。

进一步的，在步骤S40中，去除部分的位于所述有源区的上表面的厚栅氧层，剩余的所述厚栅氧层覆盖所述鸟嘴结构的尖端，以克服所述鸟嘴结构的尖端的缺陷，提高所得功率器件的击穿电压，提高所得功率器件的可靠性及良率。

进一步的，剩余的所述厚栅氧层的边缘与所述鸟嘴结构的尖端对齐，以克服所述鸟嘴结构的尖端的缺陷，提高所得功率器件的击穿电压，提高所得功率器件的可靠性及良率。