[发明专利]一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺

权利要求书

1.一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺，其特征是：硅单晶切割成硅片后先进行第一次粗倒角加工，然后对硅片进行研磨、化学腐蚀，硅片在研磨、腐蚀之后采用背封二氧化硅作为表面保护层，然后进行第二次精倒角，精倒角之后采用碱溶液进行轻腐蚀，在保护表面不受沾污的同时最大限度的增加抛光片倒角面幅、避免边缘损伤的产生，其工艺为：

（1）、将硅单晶进行外径滚圆，滚圆直径：151.2±0.2mm；

（2）、将硅单晶进行多线切割，切片厚度：1100μm±20μm；

（3）、采用全自动倒角机对硅切片进行粗倒角，圈去除量0.2mm；

（4）、采用氧化铝粉进行双面研磨，研磨去除量为50±5μm；

（5）、采用酸腐蚀工艺进行双面腐蚀，腐蚀去除量为30±5μm；

（6）、采用LPCVD工艺双面背封二氧化硅，背封温度700℃，二氧化硅层厚度：3000±1000Å；

（7）、采用全自动倒角机对双面背封二氧化硅的硅片进行第二次精倒角，圈去除量0.1mm；

（8）、采用浓度50%±5%氢氧化钾溶液进行碱腐蚀；

（9）、采用浓度49%±10%氢氟酸溶液腐蚀掉表面二氧化硅，清洗后进行单面抛光。

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺，其特征是：所述步骤（3）中进行粗倒角，采用1000目R型倒角砂轮，R值：0.508mm，角度为22°±1°，砂轮转速：4000±500RPM，吸盘转速：10±2mm/s，倒角直径：150.4±0.2mm。

3.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺，其特征是：所述步骤（4）中采用粒径8±0.5微米氧化铝粉进行双面研磨。

4.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺，其特征是：所述步骤（7）中进行第二次精倒角，采用2000目R型倒角砂轮，R值：0.508mm，角度为22°±1°，砂轮转速：4000±500RPM，吸盘转速：10±2mm/s，倒角直径：150.0±0.2mm。

5.根据权利要求1所述的一种氮化镓外延用硅片边缘加工工艺，其特征是：所述步骤（8）中进行碱腐蚀，腐蚀温度：90±5℃，腐蚀时间10s。